Development of Atomically Controlled Plasma Processing for GroupIV Quantum Device Fabrication

用于 IV 族量子器件制造的原子控制等离子体处理的开发

• 批准号: 18063001
• 负责人: SAKURABA Masao
• 金额: $ 26.37万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063001/
• 关键词: 量子へテロ構造; プラズマ; エピタキシャル成長; 原子層制御; IV族半導体; 量子ヘテロ構造

By utilizing surface reaction of reactant gases under ECR Ar plasma irradiation without substrate heating, epitaxial growth of atomically flat highly strained films of Ge and Si as well as B atomic-layer doped Si were demonstrated. Moreover, by lowering of the plasma energy in the epitaxial growth, it was clarified that plasma damage and surface B reduction by Ar plasma irradiation can be effectively suppressed and it is quite important to increase of strain and B concentration in the B atomic-layer doped films.

利用ECR Ar等离子体辐照下反应气体的表面反应，在不加热衬底的情况下，外延生长了原子级平坦的高应变Ge和Si薄膜以及B原子层掺杂的Si薄膜。此外，通过降低外延生长中的等离子体能量，阐明了可以有效地抑制由Ar等离子体照射引起的等离子体损伤和表面B还原，并且增加应变和B原子层掺杂膜中的B浓度是非常重要的。

项目成果

Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD (Invited Paper)

使用等离子体辅助 CVD 进行硅和锗的极低温外延生长（特邀论文）

• 发表时间: 2007
• 作者: M. Sakuraba;D. Muto;M. Mori;K. Sugawara;J. Murota
• 通讯作者: J. Murota

Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures Using Atomically Controlled Plasma Processing (Invited Paper)

使用原子控制等离子体处理的 IV 族半导体纳米结构的外延生长（特邀论文）

• 发表时间: 2010
• 作者: M. Sakuraba、T. Nosaka、K. Sugawara;J. Murota
• 通讯作者: J. Murota

Hole tunneling properties in resonant tunneling diodes with Si/Strained Si0. 8Ge0. 2 heterostructures grown on Si(100) by low-temperature ultraclean LPCVD

Si/应变 Si0 谐振隧道二极管的空穴隧道特性。

• 发表时间: 2007
• 期刊: Semicond. Sci. Technol Vol.22
• 作者: R. Ito;M. Sakuraba;J. Murota
• 通讯作者: J. Murota

Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe / Si (100) Heterostructures with High Ge Fraction

利用高 Ge 分数纳米级应变 SiGe/Si (100) 异质结构制造空穴谐振隧道二极管

• 发表时间: 2008
• 作者: 寺本章伸;荒谷崇;樋口正顕;池永英司;平山昌樹;須川成利;服部健雄;大見忠弘;柿本浩一;M. Sakuraba
• 通讯作者: M. Sakuraba

Highly Strained-Si/Relaxed-Ge Epitaxial Growth on Si(100) by ECR Plasma CVD and Evaluation of Thermal Stability

利用 ECR 等离子体 CVD 在 Si(100) 上进行高应变 Si/松弛 Ge 外延生长及热稳定性评价

• 发表时间: 2006
• 期刊: Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)
• 作者: Y;Morita・S;Akine・T;Nabeshima;Toshikazu Takata;K.Sugawara et al.
• 通讯作者: K.Sugawara et al.