Group IV Semiconductor Quantum Device Fabrication for Room Temperature Operation

用于室温操作的 IV 族半导体量子器件制造

• 批准号: 19360002
• 负责人: SAKURABA Masao
• 金额: $ 11.81万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360002/
• 关键词: ヘテロ構造; IV族半導体; 量子デバイス; 室温動作; エピタキシャル成長

Low-temperature SiH_4 exposure or high Si growth rate by use of Si_2H_6 gas for Si cap layer formation on Si_<1-x>Ge_x effectively suppress interface roughness in high-Ge-fraction Si/Si_<1-x>Ge_x heterostructures. By utilizing the method into resonant tunneling diode fabrication process, negative differential conductance characteristics at room temperature is demonstrated.

在Si_ Ge_x上形成Si帽层时采用低温SiH_4暴露或采用Si_2H_6气体的高Si生长速率<1-x>可以有效地抑制高Ge含量Si/Si_<1-x>Ge_x异质结的界面粗糙度。将该方法应用于共振隧穿二极管的制作过程中，得到了室温下的负微分电导特性。

项目成果

Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing High Ge Fraction (x>0.5) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure with Improved Performance at Higher Temperature above 200K

采用高 Ge 分数 (x>0.5) Si/应变 Si_<1-x>Ge_x/Si(100) 异质结构的空穴谐振隧道二极管，在 200K 以上的高温下具有改进的性能

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Takahashi;T. Seo;M. Sakuraba;J. Murota
• 通讯作者: J. Murota

Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure

Ge分数调制对Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结构空穴谐振隧道二极管电特性的影响

• 发表时间: 2008
• 期刊: Thin Solid Films Vol.517
• 作者: T.Seo、M.Sakuraba;J.Murota
• 通讯作者: J.Murota

Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant-Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure

高Ge分数Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结空穴谐振隧道二极管负微分电导特性的改进

• 发表时间: 2009
• 期刊: Solid-State Electron. Vol.53
• 作者: T.Seo、K.Takahashi、M.Sakuraba;J.Murota
• 通讯作者: J.Murota

Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100)

具有在 Si(100) 上外延生长的 Si/Si1-xGex 高应变异质结构的谐振隧道二极管

• 发表时间: 2009
• 作者: M. Sakuraba;J. Murota
• 通讯作者: J. Murota

Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure"

高Ge分数(x>0.4) Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结空穴谐振隧道二极管电特性"

• 发表时间: 2008
• 期刊: Appl.Surf.Sci. Vol.254、No.19
• 作者: T.Seo、M.Sakuraba;J.Murota
• 通讯作者: J.Murota