Group IV Semiconductor Quantum Device Fabrication for Room Temperature Operation
Group IV Semiconductor Quantum Device Fabrication for Room Temperature Operation
用于室温操作的 IV 族半导体量子器件制造
批准号：
19360002
负责人：
SAKURABA Masao
金额：
$11.81万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2009
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英文摘要
Low-temperature SiH_4 exposure or high Si growth rate by use of Si_2H_6 gas for Si cap layer formation on Si_<1-x>Ge_x effectively suppress interface roughness in high-Ge-fraction Si/Si_<1-x>Ge_x heterostructures. By utilizing the method into resonant tunneling diode fabrication process, negative differential conductance characteristics at room temperature is demonstrated.
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Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing High Ge Fraction (x>0.5) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure with Improved Performance at Higher Temperature above 200K
采用高 Ge 分数 (x>0.5) Si/应变 Si_<1-x>Ge_x/Si(100) 异质结构的空穴谐振隧道二极管，在 200K 以上的高温下具有改进的性能
采用高 Ge 分数 (x>0.5) Si/应变 Si_<1-x>Ge_x/Si(100) 异质结构的空穴谐振隧道二极管，在 200K 以上的高温下具有改进的性能
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Takahashi, T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota]
通讯作者：
J. Murota
Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure
Ge分数调制对Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结构空穴谐振隧道二极管电特性的影响
Ge分数调制对Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结构空穴谐振隧道二极管电特性的影响
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Thin Solid Films Vol.517
影响因子：
--
作者：
[T.Seo、M.Sakuraba, J.Murota]
通讯作者：
J.Murota
Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant-Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure
高Ge分数Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结空穴谐振隧道二极管负微分电导特性的改进
高Ge分数Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结空穴谐振隧道二极管负微分电导特性的改进
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Solid-State Electron. Vol.53
影响因子：
--
作者：
[T.Seo、K.Takahashi、M.Sakuraba, J.Murota]
通讯作者：
J.Murota
Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100)
具有在 Si(100) 上外延生长的 Si/Si1-xGex 高应变异质结构的谐振隧道二极管
具有在 Si(100) 上外延生长的 Si/Si1-xGex 高应变异质结构的谐振隧道二极管
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Sakuraba, J. Murota]
通讯作者：
J. Murota
Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure"
高Ge分数(x>0.4) Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结空穴谐振隧道二极管电特性"
高Ge分数(x>0.4) Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结空穴谐振隧道二极管电特性"
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Appl.Surf.Sci. Vol.254、No.19
影响因子：
--
作者：
[T.Seo、M.Sakuraba, J.Murota]
通讯作者：
J.Murota
共 14 条
Process development for high-performance highly-strained quantum-heterostructure resonant-tunneling devices of group-IV semiconductors
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批准号：23360003
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$13.06万
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财政年份：2011
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负责人：SAKURABA Masao
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依托单位：
Development of Atomically Controlled Plasma Processing for GroupIV Quantum Device Fabrication
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批准号：18063001
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$26.37万
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财政年份：2006
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负责人：SAKURABA Masao
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依托单位：
Electronicband modulation and formation of quantum tunneling structures by atomic-layer control of group-IV semiconductors
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批准号：16360002
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$9.41万
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财政年份：2004
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负责人：SAKURABA Masao
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依托单位：
Fabrication of Resonant Tunneling Diode by Atomic Layer-by-Layer Epitaxial Growth of Si-Ge-C-N System
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批准号：12450001
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$8.19万
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财政年份：2000
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负责人：SAKURABA Masao
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依托单位：
海外基金