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Process development for high-performance highly-strained quantum-heterostructure resonant-tunneling devices of group-IV semiconductors

Process development for high-performance highly-strained quantum-heterostructure resonant-tunneling devices of group-IV semiconductors
IV族半导体高性能高应变量子异质结构谐振隧道器件工艺开发
批准号：
23360003
负责人：
SAKURABA Masao
金额：
$13.06万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-01 至 2014-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23360003/
关键词：
エピタキシャル成長プラズマ化学気相成長IV族半導体SiGeSiGe混晶ドーピングヘテロ構造量子デバイス室温動作

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By using elctron-cyclotron-resonance plasma chemical vapor deposition, epitaxial growth of highly-strained SiGe alloy and Ge films on Si(100) with smooth surface and heavy B doping into Si and Ge epitaxial films can be realized. Nitrogen atomic-layer doping process and its effects upon hole tunneling characteristics of Si barriers in the strained SiGe/Si(100) hole resonant tunneling diode were also investigated.
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会议论文
Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing
通过低能等离子体 CVD 处理进行 IV 族半导体量子异质集成
DOI： 10.1149/05809.0195ecst
发表时间： 2013
期刊： ECS Trans.
影响因子： --
作者： [南秀人, 中井雅也, 深海洋樹, 鈴木登代子, 大久保政芳, M.Sakuraba and J.Murota]
通讯作者： M.Sakuraba and J.Murota
Atomically Controlled Formation of Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Quantum Heterostructure for Room- Temperature Resonant Tunneling Diode
室温谐振隧道二极管应变Si_<1-x>Ge_x/Si量子异质结构的原子控制形成
DOI： 10.1149/1.3633314
发表时间： 2011
期刊： ECS Trans.
影响因子： --
作者： [C. Mitsumata, S. Tomita, M. Mizuguchi, and T. Seki, M.Sakuraba and J.Murota]
通讯作者： M.Sakuraba and J.Murota
Atomically Controlled Plasma CVD Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors
用于 IV 族半导体量子异质集成的原子控制等离子体 CVD 处理
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Akira Emoto *, Naomi Noguchi , Tomoko Kobayashi , and Takashi Fukuda, M.Sakuraba and J.Murota]
通讯作者： M.Sakuraba and J.Murota
Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by Electron-Cyclotron- Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition in a SiH_4-B_2H_6-H_2 Gas Mixture without Substrate
无衬底 SiH_4-B_2H_6-H_2 气体混合物中电子回旋共振 Ar 等离子体化学气相沉积在 Si(100) 上外延生长 B 掺杂 Si
DOI： 10.1016/j.tsf.2013.08.118
发表时间： 2014
期刊： Thin Solid Films
影响因子： 2.1
作者： [Y.Abe, M.Sakuraba and J.Murota]
通讯作者： M.Sakuraba and J.Murota
共 20 条
    Group IV Semiconductor Quantum Device Fabrication for Room Temperature Operation
    • 批准号：
      19360002
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.81万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      SAKURABA Masao
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Development of Atomically Controlled Plasma Processing for GroupIV Quantum Device Fabrication
    • 批准号：
      18063001
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $26.37万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      SAKURABA Masao
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Electronicband modulation and formation of quantum tunneling structures by atomic-layer control of group-IV semiconductors
    • 批准号：
      16360002
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.41万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      SAKURABA Masao
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Fabrication of Resonant Tunneling Diode by Atomic Layer-by-Layer Epitaxial Growth of Si-Ge-C-N System
    • 批准号：
      12450001
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.19万
    • 财政年份：
      2000
    • 负责人：
      SAKURABA Masao
    • 依托单位：
      Tohoku University
    海外基金