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Nano-integration of Metal Nanodot Nonvolatile Memory

金属纳米点非易失性存储器的纳米集成

基本信息

批准号：
18063002
负责人：
TANAKA Tetsu
金额：
$ 26.3万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2009
项目状态：
已结题

项目摘要

In this research, SAND method was developed to form metal nanodot (MND) layer. The tungsten nanodots with high density of 1.3x10^<13>/cm^2 and small size of ~1.5nm was successfully formed. The memory transistors with MND floating gate and high-k blocking dielectric were also fabricated. The cobalt nanodots memory shows a long retention time, excellent endurance, and large memory window. A novel memory with potential-engineered dual MND layers was successfully fabricated and operated properly.

在本研究中，SAND方法被发展来形成金属纳米点（MND）层。成功制备了密度为1.3 × 10 ~（13）<13>/cm ~ 2、尺寸为~1.5nm的钨纳米点。还制作了具有MND浮栅和高k阻挡介质的存储器晶体管。钴纳米点存储器显示出长的保持时间、优异的耐久性和大的存储窗口。一种新型的存储器与潜在的工程双MND层成功地制造和运行正常。

项目成果

期刊论文数量（87）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Formation of Cobalt Nanodots Embedded in Silicon Oxide for Nonvolatile Memory Application

用于非易失性存储器应用的嵌入氧化硅中的钴纳米点的形成

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yanli Pei;Tatsuro Hiraki;Toshiya Kojima;Takafumi Fukushima;Tetsu Tanaka;Mitsumasa Koyanagi
通讯作者：
Mitsumasa Koyanagi

金属ナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性

金属纳米点浮栅MOS电容器的存储特性

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
裴艶麗;福島誉史;田中徹;小柳光正
通讯作者：
小柳光正

Magnetic characteristics of FePt nanodots formed by a self-assembled nanodot deposition method

自组装纳米点沉积法形成FePt纳米点的磁特性

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
C.K. Yin;H. Choi;J.C. Bea;M. Murugesan;J.H. Yoo;T. Fukushima;Y. Murakami;T. Tanaka;D. Shindo;M. Miyao;M. Koyanagi
通讯作者：
M. Koyanagi

MOSFET nonvolatile memory with a high-density tungsten nanodot floating gate formed by self-assembled nanodot deposition

具有自组装纳米点沉积形成的高密度钨纳米点浮栅的 MOSFET 非易失性存储器

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
Semiconductor Science and Technology 24
影响因子：
0
作者：
Yanli Pei;Chengkuan Yin;Masahiko Nishijima;Toshiya Kojima;Takafumi Fukushima;Tetsu Tanaka;and Mitsumasa Koyanagi;Yanli Pei;Y. Pei
通讯作者：
Y. Pei

New Magnetic Nanodot Memory with FePt Nanodots

采用 FePt 纳米点的新型磁性纳米点存储器

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 46
影响因子：
0
作者：
C. Yin;M. Murugesan;J. Bea;M. Oogane;T. Fukushima;T. Tanaka;M. Miyao;S. Samukawa;M. Koyanagi
通讯作者：
M. Koyanagi