Theoretical Design of Nano-Device and Nano-Interface by First Principles Approach

采用第一性原理方法进行纳米器件和纳米界面的理论设计

• 批准号: 18063003
• 负责人: SHIRAISHI Kenji
• 金额: $ 32.38万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063003/
• 关键词: 第一原理計算; 理論; ナノ界面; 新材料; ナノサイエンス; 界面; 半導体デバイス; ナノ物性; 半導体; MOSトランジスタ; 量子効果; 炭素ナノチューブ

In this four years project, we have obtained many important results which lead a breakthrough of nano-technologies. The primary results are as follows. (1) Proposal of new physics between different dimensional systems. (2) Guiding principles for MONOS memories with high program/erase endurance, (3) Band structure design of graphene based materials. (4) Clarification of nano-scale capacitances. (5) Theoretical proposal of breakdown of Schottky barrier limits. (6) Anomaly of effective masses in Si nano-structures. (7) Serious effect of atomic vacancies for strained Ge channels.

在这四年的项目中，我们取得了许多重要成果，导致纳米技术的突破。主要结果如下。(1)不同维度系统之间的新物理学的建议。(2)具有高编程/擦除耐久性的MONOS存储器的指导原则。（3）石墨烯基材料的能带结构设计。(4)纳米级电容的澄清。(5)肖特基势垒极限击穿的理论建议。(6)硅纳米结构中有效质量的反常。(7)原子空位对应变锗沟道的严重影响。

项目成果

Energetics of nanoscale graphene ribbons: Edge geometries and electronic structures

• DOI: 10.1103/physrevb.77.041408
• 发表时间: 2008-01-01
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Okada, Susumu

Theoretical studies on the charge trap mechanism of MONOS type memories - Relationship between atomistic information and program/erase actions

MONOS型存储器电荷陷阱机制的理论研究-原子信息与编程/擦除动作的关系

• 发表时间: 2009
• 期刊: Microelectronic. Eng. 86
• 作者: A. Otake;K. Yamaguchi;K. Kobayashi;K. Shiraishi
• 通讯作者: K. Shiraishi

Atomistic origin of high-quality "novel SiON" gate dielectric

高品质“新型 SiON”栅极电介质的原子起源

• 发表时间: 2009
• 期刊: MICROELECTRONIC ENGINEERING 86
• 作者: K. Inoke;K. Kaneko;M. Weyland;P. A. Midgley;K. Higashida and Z. Horita;K.Yamaguchi
• 通讯作者: K.Yamaguchi

Theoretical study of the time-dependent phenomena on a two-dimensional electron gas weakly coupled with a discrete level

离散能级弱耦合二维电子气瞬态现象的理论研究

• 发表时间: 2008
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys. 47
• 作者: M. Muraguchi;Y. Takada;S. Nomura;K. Shiraishi
• 通讯作者: K. Shiraishi

MONOS型メモリにおけるSiN層のN空孔型欠陥の原子構造と電子構造

MONOS存储器SiN层N空位型缺陷的原子结构和电子结构

• 发表时间: 2009
• 作者: T. Uesugi;Y. Inoue;Y. Takigawa;K. Higashi;山口慶太
• 通讯作者: 山口慶太