New development of the theories of nano-interfaces and their application to nano-devices

纳米界面理论新进展及其在纳米器件中的应用

• 批准号: 18360017
• 负责人: SHIRAISHI Kenji
• 金额: $ 11.21万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360017/
• 关键词: 第一原理計算; 界面; ナノサイエンス; 将来デバイス; ナノデバイス; 半導体; 酸化物; 理論; 金属; ナノ物性; 界面反応; 絶縁体; 量子効果; 界面準位

ナノスケール界面に独特の新しい物理概念の構築に成功し、従来の界面科学の常識を覆すことに成功した。具体的には従来の界面物理学で絶対的な極限と考えられていたショットキー極限が本当の極限ではないことを理論的に示し、さらに実験で実証した。また、金属シリサイドが形成の原子レベルの起源、歪んだGe層に生じる正孔の起源等も明らかにした。さらに、こうして得られたナノスケール界面の新概念を未来デバイスに応用することに成功した。

ナノスケールInterfaceにUniqueのnewしいPhysical conceptのconstructにsuccessし、従来のInterface scienceの common senseをcoverすことにsuccessした. The specific interface physics and the ultimate limit test of the specific interface physics are the same. The limit of the limit is the limit of the theory, and it is the proof of the theory.また, metal シリサイドがのatomic レベルのorigin, crooked んだGe layer に生じる正 holeのorigin, etc. も明らかにした.さらに、こうして got られたナノスケールThe new concept of the interface をFuture デバイスに応 succeeded with することにした.

项目成果

Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-k Gate Stacks Based on Thermodynamics

基于热力学的Hf基高k栅堆叠费米能级钉扎理论研究

• 发表时间: 2007
• 作者: K. Shiraishi;Y. Akasaka;G. Nakamura;M. Kadoshima;H. Watanabe;K. Ohmori;T. Chikyow;K. Yamabe;Y. Nara;Y. Ohji;K. Yamada
• 通讯作者: K. Yamada

Nano-scale view of atom intermixing at metal/semiconductor interfaces

金属/半导体界面原子混合的纳米尺度视图

• 发表时间: 2006
• 期刊: J. Phys. Conf. Ser. 38
• 作者: S;Kajita;T.Nakayama;S.Kajita;T. Nakayama;M. Oda;T. Nakayama
• 通讯作者: T. Nakayama

Modified oxygen vacancy induced Fermi level pinning model extendable to p-metal pinning

• DOI: 10.1143/jjap.45.l1289
• 发表时间: 2006-12-01
• 期刊: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
• 作者: Akasaka, Yasushi;Nakamura, Genji;Nakamura, Kunio
• 通讯作者: Nakamura, Kunio

Temperature Dependence of Electron Tunneling between Quantum Dots and Electron Gas

量子点和电子气之间电子隧道的温度依赖性

• 发表时间: 2009
• 作者: R.Kobayashi;T.Nakayama;山口慶太;大竹朗;櫻井蓉子
• 通讯作者: 櫻井蓉子

Temperature dependence of capacitance of Si quantum dot floating gate MOS capacitor

Si量子点浮栅MOS电容器电容的温度依赖性

• 发表时间: 2009
• 期刊: Journal of Physics, Conference Series (印刷中)
• 作者: S. Horiuchi;M. Tanaka;T. Yokote and K. Higashida;櫻井蓉子
• 通讯作者: 櫻井蓉子