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New development of the theories of nano-interfaces and their application to nano-devices

New development of the theories of nano-interfaces and their application to nano-devices
纳米界面理论新进展及其在纳米器件中的应用
批准号:
18360017
负责人:
SHIRAISHI Kenji
金额:
$11.21万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2008

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
ナノスケール界面に独特の新しい物理概念の構築に成功し、従来の界面科学の常識を覆すことに成功した。具体的には従来の界面物理学で絶対的な極限と考えられていたショットキー極限が本当の極限ではないことを理論的に示し、さらに実験で実証した。また、金属シリサイドが形成の原子レベルの起源、歪んだGe層に生じる正孔の起源等も明らかにした。さらに、こうして得られたナノスケール界面の新概念を未来デバイスに応用することに成功した。
英文摘要
ナノスケール界面に独特の新しい物理概念の構築に成功し、従来の界面科学の常識を覆すことに成功した。具体的には従来の界面物理学で絶対的な極限と考えられていたショットキー極限が本当の極限ではないことを理論的に示し、さらに実験で実証した。また、金属シリサイドが形成の原子レベルの起源、歪んだGe層に生じる正孔の起源等も明らかにした。さらに、こうして得られたナノスケール界面の新概念を未来デバイスに応用することに成功した。
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Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-k Gate Stacks Based on Thermodynamics
基于热力学的Hf基高k栅堆叠费米能级钉扎理论研究
DOI: --
发表时间: 2007
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, H. Watanabe, K. Ohmori, T. Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, Y. Ohji, K. Yamada]
通讯作者: K. Yamada
Nano-scale view of atom intermixing at metal/semiconductor interfaces
金属/半导体界面原子混合的纳米尺度视图
DOI: --
发表时间: 2006
期刊: J. Phys. Conf. Ser. 38
影响因子: --
作者: [S, Kajita, T.Nakayama, S.Kajita, T. Nakayama, M. Oda, T. Nakayama]
通讯作者: T. Nakayama
DOI: 10.1143/jjap.45.l1289
发表时间: 2006-12-01
期刊: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子: --
作者: [Akasaka, Yasushi, Nakamura, Genji, Nakamura, Kunio]
通讯作者: Nakamura, Kunio
Temperature Dependence of Electron Tunneling between Quantum Dots and Electron Gas
量子点和电子气之间电子隧道的温度依赖性
DOI: --
发表时间: 2009
期刊:
影响因子: --
作者: [R.Kobayashi, T.Nakayama, 山口慶太, 大竹朗, 櫻井蓉子]
通讯作者: 櫻井蓉子
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    Establishment of rapid Intraoperative Detection of Lymph Node metastasis Using Molecularbiological Method
    • 批准号:
      21591818
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $3.0万
    • 财政年份:
      2009
    • 负责人:
      SHIRAISHI Kenji
    • 依托单位:
    Theoretical Design of Nano-Device and Nano-Interface by First Principles Approach
    • 批准号:
      18063003
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $32.38万
    • 财政年份:
      2006
    • 负责人:
      SHIRAISHI Kenji
    • 依托单位:
    Theoretical studies on the basic processes of Si thermal oxidation.
    • 批准号:
      14550020
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.18万
    • 财政年份:
      2002
    • 负责人:
      SHIRAISHI Kenji
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金
    柔性储能中“软段 ”调控制备高离子电导率PU基电解质及界面调控机制研究
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      崔鹏
    • 依托单位:
    电解水反应中单原子催化剂表界面重构驱动的第一/第二配位壳层动态演变机制研究
    • 批准号:
      ZCLQN26E0101
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      张杰
    • 依托单位:
    关键界面温室气体源汇对典型蓝碳系统碳汇影响评估
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      谭萼辉
    • 依托单位:
    基于人工智能靶向OTUD3-FOXM1蛋白互作界面干预代谢功能障碍相关脂肪性肝病的作用和机制研究