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窒素配列ナノ構造の局所光応答とコヒーレントデバイス応用

氮取向纳米结构的局部光响应和相干器件应用

基本信息

批准号：
20045011
负责人：
喜多隆
金额：
$ 3.26万
依托单位：
Kobe University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至 2009
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20045011/
关键词：
不純物アイソエレクトロニック発光 GaAs 窒素ペア光子放出

项目摘要

本研究ではエピタキシャル結晶成長技術で制御した不純物原子オーダリングを利用してGaAs中に窒素ペアの配列ナノ構造を創り上げ、配列構造で制御可能な単一光子生成やコヒーレンスにかかわる新しい量子情報通信機能を実証を目指している。窒素ペアの配列ナノ空間構造の作製と励起子状態の磁場制御窒素ペアを配列させて作製するためにわれわれはGaAs(001)表面のオーダリングを利用した。特に(2x4)再構成構造のGaダイマに優先的に吸着する窒素は(001)面上に均一な窒素ペア構造を造ることを見出した。これらペア構造の形状異方性によって励起子は微細構造分裂することを昨年までに見出している。光子源としてこの励起子準位を利用するには微細構造分裂状態を制御することが必要になる。本年度は磁場によって、この励起子微細構造の精密な制御について実証した。その結果、窒素ペアはC_<2v>の対称性を有し、反磁性シフトにゼーマン分裂が重畳した特性を示すことを明らかにした。ゼーマン分離のg値は約5%増加することが本研究より明らかになった。単一光子デバイスの試作本年度はデバイス構造を具体的に試作するに当たって、発光波長約0.85μmに対して単一モードの光閉じ込めになるように光ガイド層の最適設計を行った。光閉じ込めにはAlGaAsクラッド層で窒素ペアを内包するGaAs活性層をサンドイッチし、発光強度増大を実証した。

In this study, the crystal growth technology of the ではエピタキシャル crystal was used to control the atomic impurity atomic structure by utilizing the atomic structure of the sulfide element in GaAs. It is possible to control the arrangement structure and control the single photon to generate a new quantum information communication function. The space structure of the element is controlled by the magnetic field of the starter state. The space structure is controlled by the magnetic field. The surface of the GaAs(001) surface is made by using the するためにわれGaAs(001). Special に (2x4) reconstructed structure のGaダイマに priority にsorption するsuffocation element は (001) surface に uniform な suffocation element ペアstructure をmaking ることを见出した. The shape anisotropy of the structure of the これらペアによってstimulus は fine structural split することをlast year までに见している. The level of the photon source and the excitation driver are controlled by the splitting state of the fine structure and the necessary control. This year's magnetic field and precise control of the fine structure of the driver are certified. The result of その, the suffocation factor ペアはC_<2v>の対symmetry を有し, the diamagnetic シフトにゼーマン cleavage が重畳したcharacteristics をshow すことを明らかにした.ゼーマンisolatedのg値はapproximately5%increaseすることがthis studyより明らかになった. Single photon photon test prototype This year's photon structure is a specific prototype photon prototype, and the wavelength of the light is about 0.85μm に対して単一モードの光closureじ込めになるように光ガイドlayerのoptimal designを行った. The photo-closing AlGaAs active layer contains a GaAs active layer, and the light intensity is increased to increase the light intensity.