半導体自然超格子におけるスピン偏極電子の制御

半导体自然超晶格中自旋极化电子的控制

• 批准号: 11750016
• 负责人: 喜多 隆
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1999 至 2000
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-11750016/
• 关键词: オーダリング; スピン; 自然超格子

半導体自然超格子のユニークな特徴を利用した新しいタイプの電子スピン生成と緩和過程の制御を実現するために研究を発展させてオーダーパラメターでスピン緩和に関係するバンド構造を任意に制御するとを目指した。超格子構造によるエネルギーバンド構造の変化はBrillouinゾーン全体にわたっていていることがこれまでの我々の分光研究を中心に明らかになってきた。これらのバンド構造はオーダーパラメターによって連続的に変化し、スピン分極状態の連続的な制御の可能性を明らかにできた。具体的な成果は以下のとおりである。(a)様々なオーダパラメターを有する半導体自然超格子を用いて超高速光パルスを用いてスピン偏極電子の生成を行い、オーダーパラメターで制御されたスピン偏極状態が得られることを実証した。(b)分離した価電子帯構造とスピン緩和特性の関連を明らかにした。(c)価電子帯での相互作用をオーダパラメターで制御することにより、オーダリングによる自在なスピン緩和特性の制御の可能性を確認できた。

The development of new methods for controlling the generation and relaxation of electron particles in semiconductor natural superlattices The structure of the superlattice structure is divided into two parts: the first part is the structure of the superlattice structure, the second part is the structure of the superlattice structure, and the third part is the structure of the superlattice structure. The structure of this paper is divided into two parts: the first part is the structure of the structure. Specific results are as follows. (a)The semiconductor natural lattice is used to generate polarized electrons. (b)Separation of electron structures and relaxation characteristics (c)The possibility of controlling the interaction between the electrons and the relaxation properties of the electrons was confirmed.

项目成果

T.Kita: "Self-Assembled Growth of InAs-Quantum Dots and Postgrowth Behavior Studied by Reflectance-Difference Spectroscopy"Applied Surface Science. Vol.159-160. 503-507 (2000)

T.Kita：“通过反射差光谱研究 InAs 量子点的自组装生长和后生长行为”应用表面科学。

K.Yamashita: "Linear Electrooptic Effect in Ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P"J.Appl.Phys.. Vol.86 No.6. 3140-3143 (1999)

K.Yamashita：“有序 (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P 中的线性电光效应”J.Appl.Phys.. Vol.86 No.6。

K.Yamashita,: "Initial Stages of InAs-Quantum Dots For mation Studied by Reflectance-Difference Spectroscopy and Photoluminescenc"Inst.Phys.Conf.Ser.No.166. Chapter 4. 239-242 (2000)

K.Yamashita，：“通过反射差光谱和光致发光研究 InAs 量子点形成的初始阶段”Inst.Phys.Conf.Ser.No.166。

T.Kita: "Dynamic Process of Two-Dimensional InAs Growth in Stranski-Krastanov Mode"Physica E. Vol.7. 891-895 (2000)

T.Kita：“Stranski-Krastanov 模式下二维 InAs 生长的动态过程”Physica E. Vol.7。

T.Kita: "Optical Characterization of Synthetic Diamond Films"SPIE. Vol.4086. 535-539 (2000)

T.Kita：“合成金刚石薄膜的光学表征”SPIE。