半導体自然超格子ヘテロ界面における光の波長変換
半导体天然超晶格异质界面处的光波长转换
基本信息
- 批准号:09750018
- 负责人:
- 金额:$ 1.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1997
- 资助国家:日本
- 起止时间:1997 至 1998
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は半導体へテロ界面での光励起キャリアの輸送と終状態の制御による新しい光の波長変換(アップコンバージョン)に関する研究である。異なるバンドギャップを持つ半導体のへテロ界面において小さいバンドギャップの半導体で生成されたキャリアを有効に大きなバンドギャップの半導体側に輸送できれば、大きなバンドギャップ半導体での発光波長は励起光に比べ短波長に変換されたことになる。具体的にはAIGaInP/GaAs系における赤外先のアップコンバージョンを実現し、緑色から青色にわたる光生成を試み、波長変換機構とその規則化パラメターによる制御を行い、以下のような計画で研究を推進した。(1) 自然超格子における準安定電子状態の解明(平成9年度完了)(2) アップコンバージョン機構の理論計算との比較(平成9年度完了)(3) フェムト秒時間分解分光によるアップコンバージョンのダイナミックス(平成10年度)(4) 原子オーダリングによるアップコンバージョン光の制御(平成10年度)平成9年度に作製したさまざまなAIGaInP混晶半導体結晶を用いてフェムト秒時間分解分光によるアップコンバージョンのダイナミックスを行い半導体へテロ界面におけるエネルギー変換プロセスについて明らかにすると共に、原子オーダリングを利用して変換エネルギー(波長)を自在に制御することを試みた。具体的な成果は以下のようである。(a)アップコンバージョン光をポンプ&プローブ法によりフェムト秒で時間分解して超高速に精密測定し、入射した赤外先のアップコンバージョン過程を解明した。また、励起波長を様々に変えた実験から波長変換素過程をとらえて、波長変換効率に関する知見が得られた。(b)一連の研究成果をもとに、原子オーダリングによるバンド構造とキャリア輸送の機構を解明できた。これをベースに、原子オーダリングを制御した新しい半導体自然超格子へテロ界面の設計を行い、赤外先の高効率アップコンバージョンを試みたところ、赤色から緑色までの自在な発光波長の制御を実現した。
In this study, the half-body interface is used to excite the system to control the new optical wavelength measurement. In the interface of the semiconductors, the optical wavelength of the semiconductors is higher than that of the short wavelengths. The specific AIGaInP/ GaAs system is used to improve the performance of the optical system, such as the optical generation of color, cyan, photoluminescence, the standardization of the optical system of the wavelength generator, and the promotion of the following research. (1) Natural superlattice stability computer state analysis (Pingcheng year 9 is over). (2) the theoretical calculation of the organization. (Pingcheng year 9 is over). (3) two seconds of time decomposition, spectroscopic analysis (Pingcheng 10). (4) Atomic Energy consumption. The optical control system (Pingcheng 10) was used in the production of mixed crystal semicrystal AIGaInP in Pingcheng 9. The structure of the mixed crystal semicrystal was used to analyze the structure of the mixed crystal semicrystal in Pingcheng in 9 years. The atomic wave length (wave length) is used to control the experiment by using the wave length of the infrared wave. The specific "results" are listed below. (a) the optical transmission system is used to analyze the ultra-high-speed precision measurement system in time, and the incident signal is used to detect the process information. It is necessary to encourage the wave length to increase the frequency of the wave, and the wave length to increase the frequency of the wave, and the wave length to be informed. (B) as soon as the results of the research are reviewed, the results of the research are reviewed, and the results of the research are reviewed, and the results of the research are reviewed. The design of the interface of the new half-body natural superlattice device, the red color sensor and the free optical wavelength sensor are used in the design of the interface, and the optical wavelength of the red color sensor.
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
K.Yamashita, T.Kita, H.Nakayama T.N.shino: "Plntolumivescon co from imeta Stalb atates in lony-rangl ordeved (Alo-sGaos) _<051> Ino_<49>P" Physical Review B. vol.55 No.7. 4411-4416 (1997)
K.Yamashita、T.Kita、H.Nakayama T.N.shino:“Plntolumivescon co from imeta Stalb atates in lony-rangl ordeved (Alo-sGaos) _<051> Ino_<49>P”《物理评论 B》第 55 卷第 55 期。
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H.Nakayama, A.Furuichi, T.Kita, T.Nishino: "Stochastic growth theory of mcloculan becnn apitoxy ural atom aovvelation abbecti : A Monte-Carlo master eqaation metlod" Applied Surltre Science. vol113/114. 631-637 (1997)
H.Nakayama、A.Furuichi、T.Kita、T.Nishino:“mcloculan becnn apitoxy uralatom aovvelation abbecti 的随机增长理论:蒙特卡罗主方程方法”应用科学。
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- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Yamashita, T.Kita H.Nakayama, T.Nishino: "Role of carrier locoliztion in onergy op-unversion at (AlosGnos) _<051>Ino_<49>P/GaAs heterointertace" Proc Elestironic Materi als Symposium. 16th. 101-103 (1997)
K.Yamashita、T.Kita H.Nakayama、T.Nishino:“载流子定位在 (AlosGnos) _<051>Ino_<49>P/GaAs 异质界面的能能反演中的作用”Proc Elestironic Material Symposium。
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- 通讯作者:
K.Yamashita: "Time-resolved up-converted photoluminescace at semiconductor heterointerface" Proc.Electronic Materials Symposium. 17th. 129-130 (1998)
K.Yamashita:“半导体异质界面的时间分辨上转换光致发光”Proc.Electronic Materials Symposium。
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T.Kita: "Spin-palorized excitons in long-range ordered Ga0.5In0.5P" Proc.Intern.Conf.on Indium Phosphide & Related Materials. 10th. 525-528 (1998)
T.Kita:“长程有序 Ga0.5In0.5P 中的自旋帕洛化激子”Proc.Intern.Conf.on 磷化铟
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