ブロードバンド光ハーベスト技術の開発と次世代太陽電池への応用
ブロードバンド光ハーベスト技術の開発と次世代太陽電池への応用
批准号:
14F04733
负责人:
喜多 隆
金额:
$1.47万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-25 至 2017-03-31
中文摘要
太陽電池は光子のエネルギーを直接電気に変換する点で非常にユニークである。半導体のpn接合を利用した太陽電池では、透過損失と熱損失などによって変換効率は最大でも30%程度になってしまう。特に、バンドギャップより小さなエネルギーの光が入射しても吸収されずに生じる透過損失が最も大きく、50%を超える次世代型の太陽電池の開発には透過損失の抑制が不可欠である。本研究では、バンドギャップ中に中間バンドを設けることによって従来は透過していた近赤外域の光を2段階の光励起によって効率よく吸収し、広帯域にわたって分布するブロードバンド太陽光スペクトルの光ハーベストを実現し、光電流を大幅に増加させて50%を超える太陽電池の実現を目指す。具体的には、InAs/GaAs量子ドット超格子によって中間バンドを形成し、中間バンドに励起した電子の励起・緩和過程を明らかにし、光励起効率を制御して、高効率な2段階光励起を実現する。本年度は高効率な2段階光励起で生成される光電流をロス無く外部に取り出すための太陽電池デバイス構造の最適化と変換効率の最大化を行うとともに、中間バンドを空間的に分離するため、アップコンバージョン材料と太陽電池とのヘテロ構造を利用した新しい構造の開発を行った。○量子ドット超格子ミニバンド内に励起したキャリアを内部電界によって分離し、再結合確率を下げることに成功した。○量子ドットへのSiドーピングによって電子密度を高め、クーロン反発によって電子の緩和を抑制した。〇中間バンドを空間的に分離するため、希土類イオンをドープした導電性の透明材料と半導体とのヘテロ構造を作製し、光学的な基礎特性を評価した。
英文摘要
太陽電池は光子のエネルギーを直接電気に変換する点で非常にユニークである。半導体のpn接合を利用した太陽電池では、透過損失と熱損失などによって変換効率は最大でも30%程度になってしまう。特に、バンドギャップより小さなエネルギーの光が入射しても吸収されずに生じる透過損失が最も大きく、50%を超える次世代型の太陽電池の開発には透過損失の抑制が不可欠である。本研究では、バンドギャップ中に中間バンドを設けることによって従来は透過していた近赤外域の光を2段階の光励起によって効率よく吸収し、広帯域にわたって分布するブロードバンド太陽光スペクトルの光ハーベストを実現し、光電流を大幅に増加させて50%を超える太陽電池の実現を目指す。具体的には、InAs/GaAs量子ドット超格子によって中間バンドを形成し、中間バンドに励起した電子の励起・緩和過程を明らかにし、光励起効率を制御して、高効率な2段階光励起を実現する。本年度は高効率な2段階光励起で生成される光電流をロス無く外部に取り出すための太陽電池デバイス構造の最適化と変換効率の最大化を行うとともに、中間バンドを空間的に分離するため、アップコンバージョン材料と太陽電池とのヘテロ構造を利用した新しい構造の開発を行った。○量子ドット超格子ミニバンド内に励起したキャリアを内部電界によって分離し、再結合確率を下げることに成功した。○量子ドットへのSiドーピングによって電子密度を高め、クーロン反発によって電子の緩和を抑制した。〇中間バンドを空間的に分離するため、希土類イオンをドープした導電性の透明材料と半導体とのヘテロ構造を作製し、光学的な基礎特性を評価した。
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Rapid Dephasing Related to Intersubband Transitions Induced by Exciton Quantum Beats Observed by a Pump-Probe Technique in a GaAs/AlAs Multiple Quantum Well
GaAs/AlAs 多量子阱中泵浦探针技术观察到的与激子量子拍引起的子带间跃迁相关的快速相移
DOI:
10.1103/physrevb.91.125307
发表时间:
2015
期刊:
Phys. Rev. B
影响因子:
--
作者:
[O. Kojima, K. Kojima, T. Kita, and K. Akahane]
通讯作者:
and K. Akahane
Polarization-Insensitive Intraband Transition in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices
InAs/GaAs 量子点超晶格中的偏振不敏感带内跃迁
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Harada, J. Yamada, D. Watanabe, S. Asahi, and T. Kita]
通讯作者:
and T. Kita
Ultrafast Optical Switch Based on Quantum Beat Oscillation in GaAs/AlAs Multiple Quantum Well
基于GaAs/AlAs多量子阱量子拍振荡的超快光开关
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[O. Kojima, T. Kita, and K. Akahane]
通讯作者:
and K. Akahane
Two-Dimensional Electronic States of Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in Ga-As
Ga-As 中外延氮原子片的二维电子态
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[O. Kojima, T. Kita, and K. Akahane, Y. Harada]
通讯作者:
Y. Harada
Carrier Dynamics in InAs Quantum Dot Solar Cell for Photon Ratchet
光子棘轮 InAs 量子点太阳能电池中的载流子动力学
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[O. Kojima, S. Okumura, T. Kita, and K. Akahane, T. Kita]
通讯作者:
T. Kita
共 19 条
ヘテロ界面に挿入した量子ドットによる赤外増感型光電変換の実現
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批准号:23K26142
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$7.82万
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财政年份:2024
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负责人:喜多 隆
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依托单位:
Development of infrared sensitive photoelectric conversion using quantum dots embedded at a heterointerfaces
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批准号:23H01448
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$12.06万
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财政年份:2023
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负责人:喜多 隆
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依托单位:
窒素配列ナノ構造の局所光応答とコヒーレントデバイス応用
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批准号:20045011
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.26万
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财政年份:2008
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负责人:喜多 隆
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依托单位:
フレキシブルフィールドエミッションデバイスの開発
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批准号:20048005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2008
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负责人:喜多 隆
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依托单位:
光ナノ共振器に埋め込んだ単一原子による自然放出光の制御と単一光子光源応用
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批准号:17651061
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2005
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负责人:喜多 隆
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依托单位:
半導体自然超格子におけるスピン偏極電子の制御
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批准号:11750016
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1999
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负责人:喜多 隆
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依托单位:
半導体自然超格子ヘテロ界面における光の波長変換
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批准号:09750018
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1997
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负责人:喜多 隆
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依托单位:
原子オーダリングによるブリュアン端バンド構造制御機構
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批准号:08750017
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:喜多 隆
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依托单位:
海外基金