フレキシブルフィールドエミッションデバイスの開発

柔性场发射器件的研制

• 批准号: 20048005
• 负责人: 喜多 隆
• 金额: $ 2.05万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20048005/
• 关键词: CNT; フィールドエミッション; エラストマー; ナノコンポジット

CNTをフレキシブルなエラストマーに高均一に添加したナノコンポジットを用いて1V/μm以下の低閾値電界と10mA/cm^2を越える高い飽和電流密度を同時に実現するために、ナノコンポジットのナノ界面構造がフィールドエミッション特性に及ぼす影響を詳細に調べた。特に電界分布の精密なシミュレーションを実施して電子放出にかかわる重要因子を特定するとともに、これら成果に基づいてフィールドエミッションデバイスの最適設計を行った。具体的な成果は以下のとおりである:フィールドエミッション特性の最適化本年度はデバイス動作時の電界分布を明らかにするために有限要素差分法で高電圧印加時の電界分布を調べ、CNT/エラストマー膜厚が200μm以下が最適であること、対向したエミッタ間の距離が5mm以下の場合に高均一に蛍光体を励起できることが明らかになった。フィールドエミッションデバイスの試作と素子特性フィールドエミッションデバイス電流・電圧特性のFNプロットより、絶縁スペーサー距離によってCNT/エラストマーシート端面での電界集中状態が変化することが明らかになり、1mmのスペーサー厚が最適であることことが明らかになった。以上の結果より単位面積当たり3万カンデラを超える世界最高水準の高輝度発光を実現した。

CNT を フ レ キ シ ブ ル な エ ラ ス ト マ ー に high uniform に add し た ナ ノ コ ン ポ ジ ッ ト を with い て below 1 v/u m の low threshold numerical bound と 10 ma/cm ^ 2 を more え を る い high saturation current density at the same time に be presently す る た め に, ナ ノ コ ン ポ ジ ッ ト の ナ ノ interface structure が フ ィ ー ル ド エ ミ ッ シ ョ ン characteristics に and ぼ す influence Youdaoplaceholder0 detailed に key べた. Trevor に electricity distribution の world precision な シ ミ ュ レ ー シ ョ ン を be applied し て electronic release に か か わ る important factor を specific す る と と も に, こ れ ら results に base づ い て フ ィ ー ル ド エ ミ ッ シ ョ ン デ バ イ ス の line optimal design を っ た. Under specific な results は の と お り で あ る : フ ィ ー ル ド エ ミ ッ シ ョ ン features の optimization this year は デ バ イ ス gesture の electricity industry distribution を Ming ら か に す る た め に finite element difference method で high electrical 圧 Inca の electricity industry distribution を べ, CNT / エ ラ ス ト マ ー film thickness が below 200 microns が optimum で あ る こ と, polices to し た エ ミ ッ タ が の distance between 5 mm high の occasions に under uniform に 蛍 light body を wound up で き る こ と が Ming ら か に な っ た. フ ィ ー ル ド エ ミ ッ シ ョ ン デ バ イ ス の try make と element child characteristic フ ィ ー ル ド エ ミ ッ シ ョ ン デ バ イ ス current, electricity 圧 characteristic の FN プ ロ ッ ト よ り, never try ス ペ ー サ ー distance に よ っ て CNT / エ ラ ス ト マ ー シ ー ト face で の electricity industry centralized state が variations change す る こ と が Ming ら か に な り, 1 mm の ス ペ ー サ ー thick が optimum で Youdaoplaceholder0 ある と とが とが Ming ら になった になった. The above <s:1> results show that the area of the よ and 単 positions is approximately 30,000 カ and デラを, which exceeds the える world 's highest level of <s:1> high luminance emission を. The actual occurrence is た.

项目成果

希土類添加窒化アルミニウムを用いたナローバンド深紫外発光デバイスの開発

稀土掺杂氮化铝窄带深紫外发光器件的研制

• 发表时间: 2008
• 作者: Koji Takahashi;Jun Hirotani;Satoshi Kai;Tatsuya Ikuta;T. Kita;高橋厚史,藤井丕夫;來山真也
• 通讯作者: 來山真也

Dual chopped photoreflectance spectroscopy for nondestructive characterization of semiconductors and semiconductor nanostructures.

• DOI: 10.1063/1.2913334
• 发表时间: 2008-04
• 期刊: The Review of scientific instruments
• 作者: T. Kita;M. Yamada;O. Wada

Flexible field emission device using carbon nanofiber nanocomposite sheet

• DOI: 10.1143/apex.1.074004
• 发表时间: 2008-07-01
• 期刊: APPLIED PHYSICS EXPRESS
• 影响因子: 2.3
• 作者: Kawamura, Masashi;Tanaka, Yusuke;Noguchi, Toru
• 通讯作者: Noguchi, Toru

Fine structure splitting of isoelectronic bound excitons in nitrogen doped GaAs

氮掺杂 GaAs 中等电子束缚激子的精细结构分裂

• 期刊: Physical Review B accepted
• 作者: 白松 俊;験谷 和範;尾形 哲也;奥乃 博;目黒 紀夫;Toshio Meguro;Yukihiro Harada;Yukihiro Harada;Takashi Kita
• 通讯作者: Takashi Kita

自己組織化ハンドブック

自组织手册

• 发表时间: 2009
• 作者: 齋藤幸夫;日向裕幸;大同寛明(分担)
• 通讯作者: 大同寛明(分担)