極限状態または非平衡状態での材料作製プロセス
極限状態または非平衡状態での材料作製プロセス
批准号:
63604009
负责人:
堂山 昌男
金额:
$18.05万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1988
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1988 至 --
中文摘要
銅と鉄の原子を一層ずつ積み上げ、鉄の厚さの関数として磁気的性質を測定した。また高温セラミックス超伝導体をスパッタ法で作成した。これらの原子構造を調べた。窒化自己燃焼法によりNbN_<1->xCx(0<x<0.8)の固溶体粉末の合成に成功し、Tcはx=0.4組成で報告されている最高値より0.9K高い18.8Kのピーク値を示した。同様の方法によりNbNセラミック板材の合成にも成功した。任意形状のNbN材の合成が可能で、超伝導材料だけでなく、耐摩耗、耐熱、耐食材料として広い応用が期待される。放射光を用いたX線回折によって黒鉛の圧縮曲線の高精度測定を行ない、さらにその結果に基づいて黒鉛/ダイヤモンド平衡圧を高信頼化した。また、4000℃以上の超高圧を併用した高圧環境を実現し、結晶のよく発達したC/BN固溶体(新物質)を合成し、結晶化学的特徴を解析した。Nーシリル化ジアミン法によって合成された半屈曲性鎖と剛直棒状鎖からなるポリイミド共重合体フィルムが得られていることを実証するとともに、フィルム作成時における延伸および高温熱処理効果について検討を加え、剛直棒状構造の配向・結晶化がフィルムの高強度高弾性率化に大きく寄与していることを明らかにし、高耐熱性高強度材料を設計するための有益な知見を得た。ほう素と硫黄を600〜1500℃、1.0〜5.5GPaの条件下で反応させ、新しい化合物BSを合成した。これは空間群R3mの六方晶系で、a=3.052A、C=20.406Aの格子定数をもち、GaSと同型の層状構造となることがわかった。吸収端が3.3〜3.7eVの乳灰色を示すこの化合物は、一方で活性化エネルギーが0.14eV、熱電能が+420-530μV/KのP型半導体であった。
英文摘要
銅と鉄の原子を一層ずつ積み上げ、鉄の厚さの関数として磁気的性質を測定した。また高温セラミックス超伝導体をスパッタ法で作成した。これらの原子構造を調べた。窒化自己燃焼法によりNbN_<1->xCx(0<x<0.8)の固溶体粉末の合成に成功し、Tcはx=0.4組成で報告されている最高値より0.9K高い18.8Kのピーク値を示した。同様の方法によりNbNセラミック板材の合成にも成功した。任意形状のNbN材の合成が可能で、超伝導材料だけでなく、耐摩耗、耐熱、耐食材料として広い応用が期待される。放射光を用いたX線回折によって黒鉛の圧縮曲線の高精度測定を行ない、さらにその結果に基づいて黒鉛/ダイヤモンド平衡圧を高信頼化した。また、4000℃以上の超高圧を併用した高圧環境を実現し、結晶のよく発達したC/BN固溶体(新物質)を合成し、結晶化学的特徴を解析した。Nーシリル化ジアミン法によって合成された半屈曲性鎖と剛直棒状鎖からなるポリイミド共重合体フィルムが得られていることを実証するとともに、フィルム作成時における延伸および高温熱処理効果について検討を加え、剛直棒状構造の配向・結晶化がフィルムの高強度高弾性率化に大きく寄与していることを明らかにし、高耐熱性高強度材料を設計するための有益な知見を得た。ほう素と硫黄を600〜1500℃、1.0〜5.5GPaの条件下で反応させ、新しい化合物BSを合成した。これは空間群R3mの六方晶系で、a=3.052A、C=20.406Aの格子定数をもち、GaSと同型の層状構造となることがわかった。吸収端が3.3〜3.7eVの乳灰色を示すこの化合物は、一方で活性化エネルギーが0.14eV、熱電能が+420-530μV/KのP型半導体であった。
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Masao Doyama: Proc.Special Symp on Advanced Materials,Tokyo,1988. 83-87 (1988)
Masao Doyama:Proc.Special Symp on Advanced Materials,东京,1988。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
若槻雅男: "超高圧箕村茂 編" 共立出版,東京, 527-582 (1988)
Masao Wakatsuki:“超高压编辑,Shigeru Minomura” Kyoritsu Shuppan,东京,527-582 (1988)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Masao Doyama: Superconductivity(Proc.Int.Meeting on Advanced Materials,Tokyo,1988). (1989)
Masao Doyama:超导性(Proc.Int.Meeting on Advanced Materials,东京,1988)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
若槻雅男: 応用物理. 57. 1071-1077 (1988)
若月正夫:应用物理学。57。1071-1077(1988)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
若槻雅男 編: "人造ダイヤモンド技術ハンドブック" サイエンスフォーラム,東京, 1-396 (1989)
若月正雄主编:《合成金刚石技术手册》科学论坛,东京,1-396 (1989)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 13 条
傾斜機能材料のコンピュータ・シミュレーション
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批准号:09229247
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1997
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
傾斜機能材料のコンピュータ・シミュレーション
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批准号:08243245
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
再放出陽電子顕微鏡の製作とその応用
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批准号:08650775
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1996
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
多孔スリットを用いた陽電子顕微鏡の製作とその応用
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批准号:07640495
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1995
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
高温電界イオン顕微鏡の製作とその応用
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批准号:06650031
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1994
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
陽電子消滅法による半導体中の結晶欠陥の研究
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批准号:05650626
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1993
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
分子動力学による金属の結晶成長機構の研究
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批准号:05211220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1993
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
陽電子による半導体中の結晶欠陥及びドーパント状態の研究
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批准号:04650025
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1992
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
分子動力学による金属及び合金の結晶成長機構の研究
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批准号:04227227
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1992
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
分子動力学による金属及び合金の結晶成長機構の研究
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批准号:03243228
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1991
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
極限状態または非平衡状態での材料作製プロセス
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批准号:01604010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$8.38万
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财政年份:1989
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
計算機支援による材料設計
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批准号:63306026
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1988
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
極限状態, または非平衡状態での材料作製プロセス
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批准号:62604005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$7.17万
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财政年份:1987
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
混晶半導体の格子欠陥の研究
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批准号:60222010
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1985
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
格子欠陥の計算機シミュレーション
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批准号:59306027
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1984
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
AEによる機能性材料の相変態の研究
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批准号:59220010
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1984
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
高性能陽電子カメラを用いた中間子ガン治療の基礎的研究
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批准号:58015028
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项目类别:Grant-in-Aid for Cancer Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1983
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
陽電子消滅法による物質の電子状態, 格子欠陥の研究
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批准号:57460021
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.8万
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财政年份:1982
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
新方式2次元γ線位置検出器の試作とその応用
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批准号:56850049
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.75万
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财政年份:1981
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
アモルファス金属・合金の原子構造と物性との関係
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批准号:56211011
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.98万
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财政年份:1981
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负责人:堂山 昌男
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依托单位:
海外基金