半導体表面のレーザー分光
半導体表面のレーザー分光
批准号:
63609502
负责人:
舛本 泰章
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1988
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1988 至 --
中文摘要
半導体表面の構造のダイナミクスをレーザー分光法により研究する事を目的として、超高真空中でSi(111)表面に対し、QスウィッチNd^<3+>:YAGレーザーの高出力パルス(波長1.06um、繰り返し10Hz、時間幅2.5ns、最大250mJ)を2mmφ程度の領域に当て、第2高周波(SHG)を観測し、その偏光特性を研究した。試料は化学エッチングとアニールを繰り返す事により清浄化し、100℃程度の温度で測定した。Si(111)表面よりSHGが観測された事により、表面超構造は、1、2、3、m、3m対称性のどれかを持つ事に限られる。有力モデルであるSi(111)DASモデルは、表面第2層まで考えれば基本格子間120°かつ大きさが等しい六方格子を持ち、6mmの対称性を持つが、これはSHGを発生させない。DASモデルからのSHG発生は、第3層におけるstacking favlt層を考えた場合、3m対称性の低下により発生する。今回の実験において、結果を解析するとSHGの偏光方向が〔1^^-10〕の時3m対称性で期待される、同強度を持つ信号の4つlobeパターンが見られない。よって、表面超構造において、鏡面が存在しない事が結論できる。従って、実験結果から考えられる表面構造は、2の対称性か3の対称性しかないが、各lobeパターンのMAX点の強度化の違いから表面超格子構造は、2の対称性を持つと考えるのが妥当である。これはDASモデルとは矛盾する。決定的な結論を得るにはLEEDとの相補的な研究の必要がある。
英文摘要
半導体表面の構造のダイナミクスをレーザー分光法により研究する事を目的として、超高真空中でSi(111)表面に対し、QスウィッチNd^<3+>:YAGレーザーの高出力パルス(波長1.06um、繰り返し10Hz、時間幅2.5ns、最大250mJ)を2mmφ程度の領域に当て、第2高周波(SHG)を観測し、その偏光特性を研究した。試料は化学エッチングとアニールを繰り返す事により清浄化し、100℃程度の温度で測定した。Si(111)表面よりSHGが観測された事により、表面超構造は、1、2、3、m、3m対称性のどれかを持つ事に限られる。有力モデルであるSi(111)DASモデルは、表面第2層まで考えれば基本格子間120°かつ大きさが等しい六方格子を持ち、6mmの対称性を持つが、これはSHGを発生させない。DASモデルからのSHG発生は、第3層におけるstacking favlt層を考えた場合、3m対称性の低下により発生する。今回の実験において、結果を解析するとSHGの偏光方向が〔1^^-10〕の時3m対称性で期待される、同強度を持つ信号の4つlobeパターンが見られない。よって、表面超構造において、鏡面が存在しない事が結論できる。従って、実験結果から考えられる表面構造は、2の対称性か3の対称性しかないが、各lobeパターンのMAX点の強度化の違いから表面超格子構造は、2の対称性を持つと考えるのが妥当である。これはDASモデルとは矛盾する。決定的な結論を得るにはLEEDとの相補的な研究の必要がある。
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M.Adachi;Y.Masumoto: Physical Review B.
M.Adachi;Y.Masumoto:物理评论 B.
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Masumoto;M.Yamazaki;H.Sugawara: Applied Physics Letters. 50. 1527-1529 (1988)
Y.增本;M.山崎;H.菅原:应用物理快报。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
F.Sasaki.;Y.Masumoto: Physical Review B.
F.Sasaki.;Y.Masumoto:物理评论 B.
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Masumoto.;T.Tsuchiya: Journal of the Physical Society of Japan. 57. 4403-4408 (1988)
Y.Masumoto.;T.Tsuchiya:日本物理学会杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Masumoto.;T.Mishina.;F.Sasaki.;M.Adachi: Physical Review Letters.
Y.Masumoto.;T.Mishina.;F.Sasaki.;M.Adachi:物理评论快报。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
同期励起光スピン偏極法の開拓と量子ドットへの応用
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批准号:20654026
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2008
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
半導体量子ドットのスピンコヒーレンスの研究
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批准号:16031203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.39万
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财政年份:2004
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
半導体量子ドットのスピンコヒーレンスの研究
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批准号:15034202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2003
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
量子ドットの緩和とコヒーレント制御
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批准号:13304023
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$20.3万
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财政年份:2001
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
単光子による量子ドットのエネルギー制御
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批准号:10127207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1998
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
単光子による量子トッドのエネルギー制御
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批准号:09233208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
単光子による量子ドットのエネルギー制御
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批准号:08247203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1996
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:05212202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1993
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:04228202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1992
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
II-VI族半導体歪超格子のレーザー光物性
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批准号:04205015
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ZnSeーZnS歪超格子のレ-ザ-光物性
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批准号:03205014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1991
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:03244201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1991
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
IIーVI族半導体超薄膜のレ-ザ-光物性
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批准号:02205016
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1990
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
II-VI族半導体超薄膜のレ-ザ-光物性
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批准号:01604515
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1989
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
II〜VI族半導体超薄膜のレーザー光物性
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批准号:63604511
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1988
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
GaーサAl∋-xAs-AlAs超格子幅の励起子のピコ秒分光と光双安定性
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批准号:60222017
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.37万
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财政年份:1985
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
励起子系のエネルギー緩和と位相緩和
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批准号:59460024
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.12万
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财政年份:1984
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒トランジェントグレーティング法による不純物半導体Si:Pの移動度端の研究
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批准号:57740159
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1982
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒分光法によるアルカリハライド結晶の励起子自己捕獲過程の研究
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批准号:56540173
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1981
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒飛行時間法による励起子ポラリトンの研究
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批准号:X00210----574109
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.54万
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财政年份:1980
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
海外基金