反応性プラズマにおける過渡過程の分光学的研究
反应等离子体瞬态过程的光谱研究
基本信息
- 批准号:63632508
- 负责人:
- 金额:$ 1.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1988
- 资助国家:日本
- 起止时间:1988 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
所属研究班(第5班)の研究項目(プラズマの新計測法)に則り、シラン・稀ガス放電を対象に、発光分光法およびレーザー励起蛍光法を用いて、プラズマ中の発光種および非発光種の絶対数密度を測定し、そのデータに基づいて電子密度および電子エネルギー分布の解析を行った。(1)He-Ar-SiH4プラズマの発光分光計測プラズマ反応過程の第一段階を支配する電子密度および電子エネルギー分布は、衝突励起過程を通して励起準位の原子数密度に反映し、その励起原子数密度は、プラズマから放出される発光スペクトル線強度を決定する。したがって発光スペクトル線強度を解析すれば、プラズマ中の電子密度と電子エネルギー分布に関する知見が得られる。この原理をHe-Ar-SiH4ガス中の直流グロー放電負グロー領域に適用し、各種励起原子の絶対数密度を、科研費補助による分光器を利用して測定した。その励起原子密度データを基に、本年度は電子密度と電子エネルギー分布に関する定性的な検討を行った。より詳細な理論解析は来年度の課題として行う予定である。(2)レーザー励起蛍光法によるRF放電中SiH分子絶対密度の測定反応の第一段階である電子・分子衝突解離から目的生成物の形成に至る過程を解明するため、プラズマ中の中間生成分子種、特に非発光種の密度を知る必要があり、シラン・稀ガスRF放電プラズマ中のSiHを対象に、レーザー励起蛍光法を用い、蛍光の偏光に留意してその絶対強度を測定し、基底準位SiH分子の絶対数密度を決定した。(3)今後の方針:発光法による電子密度・電子エネルギー分布解析の精密化とプラズマ過渡過程解析への拡張、レーザー励起蛍光法のより多様な放電条件への適用、および非発光種検出のための新しい分光計測法の開発を検討する。
所属研究班(第5班)研究课题(量子化学新方法)研究要求、量子化学·量子化学释放量子象量、量子分光法激发量子动力学激励起量子法应用规范、量子化学中的量子化学非量子光学常数密度确定规范、量子化学基础理论规范量子度量子化学分布解析解行规范。(1)He-Ar-SiH4氦氖激光分光光度计的测量过程中,第一段间歇性配位氦原子密度计的氦原子密度分布分布,激励起过程反作用激励起位置原子数密度反作用,激励起原子数密度反作用。したがって発光スペクトル線強度を解析すれば、プラズマ中の電子密度と電子エネルギー分布に関する知見が得られる。氢化物原理He-Ar-SiH4氢化物中的直流氢化物释放出的氢原子在氢原子区域内的利用率,各氢原子起着原子序数的作用,氢化物辅助氢化物分光器利用氢原子的固定化作用。その励起原子密度データを基に、本年度は電子密度と電子エネルギー分布に関する定性的な検討を行った。より詳細な理論解析は来年度の課題として行う予定である。(2)荧光激发起发光法测定RF发射中SiH分子的激发度确定基准,第一段荧光激发子·分子解离目标的生成物形成过程反向解释解释基准,荧光激发中SiH分子生成的分子量,非荧光激发度已知的必要条件,荧光激发·荧光激发RF发射中SiH分子的特征量,荧光激发起发光法使用基准,荧光激发光的残留量,荧光激发度确定基准,基础位SiH分子量密度确定。(3)当事人一方:光法确定光子密度·光子能量分布解析精密化光子能量释放过程解析程序,鼓励提起光法申请多项排放条件的适用,禁止非光法输出光子新的光子能量释放程序。
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Y.Tabubo;T.Kawagoe;M.Yamamoto: J.Appl.Phys.
Y.Tabubo;T.Kawagoe;M.Yamamoto:J.Appl.Phys。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Yamamoto;T.Sato;Y.Takubo: J.Appl.Phys.
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