Development of room temperature operation InAs-based THz wave detectors
Development of room temperature operation InAs-based THz wave detectors
批准号:
17K14673
负责人:
Masatoshi Koyama
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2017
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2017-04-01 至 2021-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(24)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
ミストCVD法によるWO3薄膜の成長
雾气CVD法生长WO3薄膜
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Nagasaka, L. Liu, T. H. Tuan, T. H. Tuan, T. Cheng, M. Matsumoto, H. Tezuka, T. Suzuki, and Y. Ohishi, 鮎澤祥史,森山竜太,寺沢巧斗,久保村航大,中山英俊, 島田乃地,大橋亮太,巽雅史,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦, 亀井龍真,井上泰一,小山政俊,小池一歩,矢野満明]
通讯作者:
亀井龍真,井上泰一,小山政俊,小池一歩,矢野満明
Characteristics of the Hf<sub>0.5</sub>Zr<sub>0.5</sub>O<sub>2</sub> Thin Films Grown by a Chemical Solution Deposition Method
化学溶液沉积法生长Hf<sub>0.5</sub>Zr<sub>0.5</sub>O<sub>2</sub>薄膜的特性
DOI:
10.2472/jsms.68.745
发表时间:
2019
期刊:
Journal of the Society of Materials Science, Japan
影响因子:
--
作者:
[矢野 満明, 井上 泰一, 大田 宗司, 河本 泰輝, 広藤 裕一, 小山 政俊, 小池 一歩]
通讯作者:
小池 一歩
Terahertz Radiation Using GaSb/InAs Heterostructures excited by 1.55 um laser
使用 1.55 um 激光激发的 GaSb/InAs 异质结构产生太赫兹辐射
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Shigehiko Sasa, Daichi Shimada, Ryota Ohashi, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, Iwao Kawayama and Masayoshi Tonouchi]
通讯作者:
Iwao Kawayama and Masayoshi Tonouchi
Study for Enhancement of Terahertz Radiation Using GaSb/InAs Heterostructures
GaSb/InAs异质结构增强太赫兹辐射的研究
DOI:
10.1088/1742-6596/906/1/012015
发表时间:
2017
期刊:
IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series
影响因子:
--
作者:
[S. Sasa, Y. Kinoshita, M. Tatsumi, M. Koyama, T. Maemoto, S. Hamauchi, I. Kawayama, and M. Tonouchi]
通讯作者:
and M. Tonouchi
Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on (111) 3C-SiC templates by mist chemical vapor deposition
喷雾化学气相沉积法在 (111) 3C-SiC 模板上异质外延生长 ε-Ga2O3 薄膜
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Kaneko, S. Fujiwara, M. Koyama, T. Maemoto, and S. Sasa]
通讯作者:
and S. Sasa
共 18 条
国内基金
海外基金
登录
查看更多内容
近红外二区InAs核壳量子点作为新型无机光敏剂用于光动力杀菌的研究
-
批准号:
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2024
-
负责人:李光明
-
依托单位:
InAs基二类超晶格甚长波红外探测器研究
-
批准号:62335017
-
项目类别:重点项目
-
资助金额:229.00万元
-
批准年份:2023
-
负责人:陈建新
-
依托单位:
面向高速响应二极管的InAs短波红外量子点表面性质及其传输性能研究
-
批准号:62374091
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:55.00万元
-
批准年份:2023
-
负责人:孙斌
-
依托单位:
调制掺杂新型二维超薄InAs光伏型红外光电探测器研究
-
批准号:62305010
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30.00万元
-
批准年份:2023
-
负责人:李菁桢
-
依托单位:
InAs单晶衬底亚表面晶格损伤的产生与抑制
-
批准号:62374161
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:54.00万元
-
批准年份:2023
-
负责人:沈桂英
-
依托单位:
硅基外延InAs/GaAs量子点激光器的光学反馈特性研究
-
批准号:--
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30万元
-
批准年份:2022
-
负责人:段嘉楠
-
依托单位:
CMOS工艺兼容的硅基外延InAs量子点激光器缺陷抑制研究
-
批准号:62274159
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:59万元
-
批准年份:2022
-
负责人:赵超
-
依托单位:
红外调制微分光谱扫描成像研究InAs/GaSb超晶格空间均匀性机理
-
批准号:--
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:55万元
-
批准年份:2022
-
负责人:陈熙仁
-
依托单位:
InAs/GaAs量子点半导体可饱和吸收镜电控非线性光学特性的研究
-
批准号:--
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:30万元
-
批准年份:2022
-
负责人:王旭
-
依托单位:
宽带宽InAs量子点MOCVD生长调控机理研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2021
-
负责人:王海珠
-
依托单位: