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>2um InP- and Si-based InAs(Sb) quantum dot materials and devices.
>2um InP 和 Si 基 InAs(Sb) 量子点材料和器件。
基本信息
- 批准号：2734676
- 负责人：
- 金额：--
- 依托单位：
- 依托单位国家：英国
- 项目类别：Studentship
- 财政年份：2022
- 资助国家：英国
- 起止时间：2022 至 无数据
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Mid-infrared semiconductor lasers with emission wavelength of 2-2.5um have been recognized as a promising technology in many applications, such as molecular spectroscopy, gas monitoring, and medical diagnostics. InP- and Si-based InAs(Sb) quantum dot materials and devices will provide a sophisticated solution for mid-infrared optical sources.
发射波长为2- 2.5 μ m的中红外半导体激光器在分子光谱、气体监测和医学诊断等领域有着广泛的应用前景。InP和Si基InAs（Sb）量子点材料和器件将为中红外光源提供复杂的解决方案。
项目成果
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