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>2um InP- and Si-based InAs(Sb) quantum dot materials and devices.

>2um InP- and Si-based InAs(Sb) quantum dot materials and devices.
>2um InP 和 Si 基 InAs(Sb) 量子点材料和器件。
批准号：
2734676
负责人：
金额：
$0.0万
依托单位：
University College London
依托单位国家：
英国
项目类别：
Studentship
财政年份：
2022
资助国家：
英国
项目状态：
未结题
起止时间：
2022 至 --
来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=studentship-2734676
关键词：
2umInPSibasedInAs

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
发射波长为2-2.5um的中红外半导体激光器在分子光谱学、气体监测和医学诊断等领域具有广阔的应用前景。InP和si基InAs（Sb）量子点材料和器件将为中红外光源提供一种复杂的解决方案。
英文摘要
Mid-infrared semiconductor lasers with emission wavelength of 2-2.5um have been recognized as a promising technology in many applications, such as molecular spectroscopy, gas monitoring, and medical diagnostics. InP- and Si-based InAs(Sb) quantum dot materials and devices will provide a sophisticated solution for mid-infrared optical sources.
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