Physics and applications of strong coupling beitnweternsublevel transitions in semiconductor heterostructures and electromagnetic waves in terahertz resonators

半导体异质结构亚能级跃迁与太赫兹谐振器电磁波强耦合物理及应用

• 批准号: 22241036
• 负责人: HIRAKAWA Kazuhiko
• 金额: $ 30.45万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22241036/
• 关键词: 半導体超格子; 量子ドット; テラヘルツ; 半導体量子構造; 超格子; 単一電子トランジスタ; 量子効果; 微小共振器; サブバンド間遷移; ブロッホ振動

We have investigated controolf electron transport in semiconductor quantum nanostructures by irradiating intense terahertz radiation. The main results are the following;1) By irradiating semiconductor superlattices with intense terahertz radiation, we have succeeded in suppressingigh-hfield domains that hinder terahertz Bloch oscillation.2) We have succeeded in controlling single electron transport by focusing intense terahertz radiation on single quantum dots through nanogap electrodes and inducingphoton-assisted tunneling.

我们研究了在强太赫兹辐射下半导体量子纳米结构中电子输运的控制。主要结果如下：1）通过强太赫兹辐射照射半导体超晶格，成功抑制了阻碍太赫兹布洛赫振荡的高场畴; 2）通过纳米间隙电极将强太赫兹辐射聚焦到单量子点上，诱导光子辅助隧穿，成功控制了单电子输运.

项目成果

ジャイロトロンからのサブテラヘルツ強電場を用いた導体格子中の電流抑制

使用回旋管的亚太赫兹强电场抑制导体晶格中的电流

• 发表时间: 2011
• 作者: 酒瀬川洋平;出原敏孝;山口裕資;光藤誠太郎;平川一彦
• 通讯作者: 平川一彦

Terahertz photonic bandgap for the transverse-magnetic modesformed by using a planar waveguidestructure with a photonic crystalelectrode

使用带有光子晶体电极的平面波导结构形成的横磁模式的太赫兹光子带隙

• 发表时间: 2010
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Y. Sakasegawa;T. Ihara;and K.Hirakawa
• 通讯作者: and K.Hirakawa

Control of electron transport in semiconductor superlattices by intense THz radiation

通过强太赫兹辐射控制半导体超晶格中的电子传输

• 发表时间: 2013
• 作者: T.Morioka;Y.Okada;横山利彦;K. Hirakawa
• 通讯作者: K. Hirakawa

THz帯量子カスケードレーザにおける高電界ドメイン

太赫兹波段量子级联激光器的高电场域

• 发表时间: 2013
• 作者: 安田 浩朗;寳迫 巌;平川 一彦
• 通讯作者: 平川 一彦

Determination of the time origin in terahertz emission spectroscopy : basic schemes and application to semiconductors

太赫兹发射光谱中时间原点的确定：基本方案及其在半导体中的应用

• 发表时间: 2011
• 作者: T.Unuma;Y.Ino;E.-M.Vartiainen;K.-E.;Peiponen;M.-K.Gonokami;K.Kirakawa
• 通讯作者: K.Kirakawa