Fabrication of graphene nanostructures and correlation to electronic properties

石墨烯纳米结构的制造及其与电子性能的相关性

• 批准号: 23246014
• 负责人: TANAKA Satoru
• 金额: $ 31.95万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23246014/
• 关键词: グラフェン; ナノ構造; ナノリボン; バンドギャップ; エピタキシー; 電子状態; 表面制御

Graphene is an ultimate 2D form of material and thus has been noticed in terms of its unique nano properties. However, it has no band-gap and thus is unable to apply for switching devices. Therefore, band-gap opening is a significant issue for this purpose. Many methods have been reported to open band-gap and among them nanoribbons are recognized to be especially important because of relatively large gap formation. We here tried to selectively grow graphene on SiC nano-surfaces, including periodic step/terrace structures, and succeeded in graphene nano ribbon formation. Electronic structures at K-points were examined and found clear band-gap opening.

石墨烯是一种最终的2D形式的材料，因此在其独特的纳米特性方面受到关注。然而，它没有带隙，因此不能应用于开关器件。因此，带隙开放是用于此目的的重要问题。已经报道了许多方法来打开带隙，其中纳米带被认为是特别重要的，因为相对较大的间隙形成。我们在这里尝试在SiC纳米表面选择性生长石墨烯，包括周期性台阶/平台结构，并成功形成石墨烯纳米带。在K点的电子结构进行了检查，发现明确的带隙开放。

项目成果

Graphene nanoribbonson vicinal SiC surfaces

邻位 SiC 表面的石墨烯纳米带

• 发表时间: 2011
• 作者: 梶原隆司;栗栖悠輔;田中悟;瀧宮和男;田中悟
• 通讯作者: 田中悟

A Raman imaging study of growth process of few-layer epitaxial graphene on vicinal 6H–SiC

邻位6H-SiC上少层外延石墨烯生长过程的拉曼成像研究

• DOI: 10.1016/j.diamond.2012.02.017
• 发表时间: 2012
• 期刊: Diamond & Related Materials
• 影响因子: 4.1
• 作者: 若本恵佑;中川俊一郎;瀬木利夫;青木学聡，松尾二郎;S. Kamoi
• 通讯作者: S. Kamoi

グラフェンナノ構造形成と物性相関

石墨烯纳米结构的形成和物理性质的相关性

• 作者: J.Matsuo;K.Ichiki;T.Yamanobe;Y.Yamamoto;T.Aoki;田中 悟
• 通讯作者: 田中 悟

Bandgap Opening on Graphene Nanoribbons Grown on Vicinal 6H- and 4H-SiC Surfaces by Molecular Beam Epitaxy

通过分子束外延在邻位 6H 和 4H-SiC 表面生长的石墨烯纳米带上的带隙开口

• 发表时间: 2013
• 作者: T.Kajiwara;et al.
• 通讯作者: et al.

Graphene Growth on SiC Nanofacet Surfaces by Chemical Vapor Deposition

通过化学气相沉积在 SiC 纳米表面上生长石墨烯

• 发表时间: 2012
• 作者: E.J.Takahashi;P.Lan;and K.Midorikawa;M.Hashimoto;S. Nakagawa;瀧宮和男;多々良涼一;Y. Hagihara
• 通讯作者: Y. Hagihara