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Research and development of III-nitride semiconductor LED/Laser using quantum dots

Research and development of III-nitride semiconductor LED/Laser using quantum dots
利用量子点的III族氮化物半导体LED/激光器的研究与开发
批准号：
13555083
负责人：
TANAKA Satoru
金额：
$8.96万
依托单位：
HOKKAIDO UNIVERSITY
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2001 至 2002
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-13555083/
关键词：
Quantum dotUV LEDLDAntisurfactnatIII-NitrideSpatial ordering

项目摘要

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The fabrication and evaluation of a UV light-emitting diode (LED) incorporating GaN quantum dots as the active layer is demonstrated. The GaN quantum dots were fabricated on an Al_xGa_<1-x>N (x〜0.1) surface using Si as an antisurfactant. Exposing the Al_xGa_<1-x>N surface to the Si antisurfactant prior to GaN growth enabled the formation of quantum dots on a surface where growth by the Stranski-Krastanov mode would not be possible. A fairly high density of dots (10^<10>-10^<11> cm^<-2> with controllable dot sizes was ichieved. Room temperature luminescence at 360 nm was clearly observed during current injection (cw) into an LED structure including the GaN quantum dots.
期刊论文(26)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
青柳克信: "科学フロンティア-ナノマテリアル最前線"化学同人. 7 (2002)
Katsunobu Aoyagi：“科学前沿 - 纳米材料的前沿”化学同人 7 (2002)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
J.Brault: "Linear alignment of GaN quantum dots on AlN grown on vicinal SiC substrates"Journal of Applied Physics. 93・5. 3108-3110 (2003)
J.Brault：“在邻位 SiC 衬底上生长的 AlN 上的 GaN 量子点的线性排列”应用物理学杂志 93・5（2003 年）。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
J.S.Lee: "GaN quantum dot UV light emitting diode"Mater.Res.Soc.Proc.. 印刷中.
J.S.Lee：“GaN量子点紫外发光二极管”Mater.Res.Soc.Proc..正在出版。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
J.Brault: "Characteristics of AIN growth on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy"Phys. Stat. Sol. (b). 240, No. 5. 314-317 (2003)
J.Brault：“通过分子束外延在邻位 SiC (0001) 衬底上生长 AIN 的特性”Phys。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 12 条
    Transformation of Contemporary South Korean Funerary Culture from the 1990s and on
    • 批准号：
      25370071
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.08万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      TANAKA Satoru
    • 依托单位：
      Kobe University
    Multi-scale/multi-physics modeling of long-term evolution of material properties in solid breeding materials
    • 批准号：
      23246161
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $30.37万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      TANAKA Satoru
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Heteroepitaxy of III-nitride thin films with ultra low defect density
    • 批准号：
      23656020
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      TANAKA Satoru
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Fabrication of graphene nanostructures and correlation to electronic properties
    • 批准号：
      23246014
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $31.95万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      TANAKA Satoru
    • 依托单位：
      Kyushu University
    国内基金
    海外基金
    UV-LED-电催化耦合协同降解养殖水体中土臭素的效能与机理
    • 批准号：
      32303071
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      王朔
    • 依托单位：
      浙江大学
    UV-LED协同电化学氯体系对农村饮用水复合污染的控制效能与机理
    • 批准号：
      52300010
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      万琪琪
    • 依托单位：
      西安建筑科技大学
    缓释型UV-LED/CaSO3高级还原-氧化耦合工艺的构建方法与调控机制
    • 批准号：
      52300061
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      陆建
    • 依托单位：
      同济大学
    多波长UV-LED/氯技术增效去除微塑料载带药物与个人护理品及机理研究
    • 批准号：
      52100039
    • 项目类别：
      青年科学基金项目（C类）
    • 资助金额：
      30.0万元
    • 批准年份：
      2021
    • 负责人：
      殷凯
    • 依托单位：
      湖南大学