Research and development of III-nitride semiconductor LED/Laser using quantum dots

利用量子点的III族氮化物半导体LED/激光器的研究与开发

• 批准号: 13555083
• 负责人: TANAKA Satoru
• 金额: $ 8.96万
• 依托单位: HOKKAIDO UNIVERSITY
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2001 至 2002
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-13555083/
• 关键词: Quantum dot; UV LED; LD; Antisurfactnat; III-Nitride; Spatial ordering

The fabrication and evaluation of a UV light-emitting diode (LED) incorporating GaN quantum dots as the active layer is demonstrated. The GaN quantum dots were fabricated on an Al_xGa_<1-x>N (x〜0.1) surface using Si as an antisurfactant. Exposing the Al_xGa_<1-x>N surface to the Si antisurfactant prior to GaN growth enabled the formation of quantum dots on a surface where growth by the Stranski-Krastanov mode would not be possible. A fairly high density of dots (10^<10>-10^<11> cm^<-2> with controllable dot sizes was ichieved. Room temperature luminescence at 360 nm was clearly observed during current injection (cw) into an LED structure including the GaN quantum dots.

介绍了以氮化镓量子点为有源层的紫外发光二极管（LED）的制备和性能评价。采用Si作为抗表面活性剂，在Al_xGa_<1-x>N （x ~ 0.1）表面制备了GaN量子点。在GaN生长之前，将Al_xGa_<1-x>N表面暴露在Si抗表面活性剂中，可以在无法通过stranski - krstanov模式生长的表面上形成量子点。获得了相当高的点密度（10^<10>-10^<11> cm^<-2>）和可控的点尺寸。在包括GaN量子点的LED结构中注入电流（cw）时，可以清楚地观察到360 nm的室温发光。

项目成果

青柳克信: "科学フロンティア-ナノマテリアル最前線"化学同人. 7 (2002)

Katsunobu Aoyagi：“科学前沿 - 纳米材料的前沿”化学同人 7 (2002)。

J.Brault: "Linear alignment of GaN quantum dots on AlN grown on vicinal SiC substrates"Journal of Applied Physics. 93・5. 3108-3110 (2003)

J.Brault：“在邻位 SiC 衬底上生长的 AlN 上的 GaN 量子点的线性排列”应用物理学杂志 93・5（2003 年）。

J.S.Lee: "GaN quantum dot UV light emitting diode"Mater.Res.Soc.Proc.. 印刷中.

J.S.Lee：“GaN量子点紫外发光二极管”Mater.Res.Soc.Proc..正在出版。

J.Brault: "Characteristics of AIN growth on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy"Phys. Stat. Sol. (b). 240, No. 5. 314-317 (2003)

J.Brault：“通过分子束外延在邻位 SiC (0001) 衬底上生长 AIN 的特性”Phys。

青柳克信, 田中悟: "科学フロンティアーナノマテリアル最前線"化学同人. 7 (2002)

Katsunobu Aoyagi、Satoru Tanaka：《科学前沿·纳米材料前沿》化学同人志 7 (2002)。