Amorphe Suboxide des Siliziums: Elektronische Eigenschaften und Anwendungen in der integrierten Optik

硅的非晶低氧化物：电子特性及其在集成光学中的应用

• 批准号: 5133214
• 负责人: Professor Dr. Martin Stutzmann
• 金额: --
• 依托单位: Walter Schottky Institut für physikalische Grundlagen der Halbleiterelektronik (WSI)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1997-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5133214?language=en
• 关键词: Amorphe; Suboxide; des; Siliziums; Elektronische

Dieser Verlängerungsantrag dient dem wissenschaftlichen Abschluß der laufenden Arbeiten zu grundlegenden strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Silizium-Suboxiden sowie zu deren Anwendungen in der Optoelektronik, insbesondere als Leuchtdioden auf Siliziumbasis. Die Dichte, die energetische Lage und der Ladungszustand von lokalisierten Defekten in undotierten und dotierten Suboxiden soll als Funktion des Sauerstoffgehaltes genauer untersucht werden, um so wichtige Parameter für die numerische Simulation der Diodenkennlinien zu überprüfen und abzustimmen. Die Ergebnisse sollen auch eine Abschätzung der Dotiereffizienz in den Suboxiden ermöglichen und deren Zusammenhang mit der mittleren Koordinationszahl aufklären. Licht-induzierte Metastabilitäten (skalar und vektoriell (polarisationsabhängig) sollen ebenfalls als Funktion des Sauerstoffgehaltes untersucht werden. Durch Implantation soll Erbium in Suboxide mit unterschiedlichem Sauerstoffanteil und damit Bandlücke eingebracht werden. Die Photolumineszenz- bzw. Elektrolumineszenzeigenschaften Er-dotierter Schichten und Dioden sollen als Funktion der Er-Konzentration und der Temperatur gemessen und die Er-Lumineszenzintensität bei Zimmertemperatur soll geeignet optimiert werden. Die Integration der Er-dotierten Schichten in einen Resonator mit a-Si:H/a-SiOx Bragg-Spiegeln soll eine weitere Verstärkung der Er-Emission bewirken.

在光电业的基础上，我们的国家和地区的经济结构和电气结构都是这样的。在过去的十年里，我们一直在努力地为未来的发展注入新的活力和活力。因此，我们可以通过参数für来进行数值模拟。您的位置：我也知道>教育/科学>教育/职业教育/科学/技术。LICHIT-INDUZIERTE Metastablitäten(Skalar and vektoriell(Polarationsabhängig)Sollen ebenfall ALS Funktion des Sauerstoffgehaltes untersuht den)。在亚氧化物中植入单独的Er2+，但不进行任何处理，也不使用任何其他方法。光致发光和电致发光在温度和温度下的作用，以及温度对温度的影响。Einen谐振器MIT a-Si：H/a-SiOx Bragg-Spiegeln soll eine weitere Verstärkung der Einen Einen谐振器的集成。