AlGaN/GaN-basierende Gas-, Flüssigkeits- und Drucksensoren für hohe Temperaturen und chemisch aggressive Umgebungen

适用于高温和化学腐蚀性环境的 AlGaN/GaN 气体、液体和压力传感器

• 批准号: 5307022
• 负责人: Professor Dr. Martin Stutzmann
• 金额: --
• 依托单位: Walter Schottky Institut für physikalische Grundlagen der Halbleiterelektronik (WSI)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5307022?language=en
• 关键词: AlGaN; GaN; basierende; Gas; Fl

Das Ziel des geplanten Forschungsprojekts ist die Erarbeitung der physikalischen Grundlagen von Gas-, Flüssigkeits- und Drucksensoren basierend auf AlGaN/GaN-Heterostrukturen sowie die Realisierung und Charakterisierung entsprechender Sensor-Prototypen. Notwendig hierfür ist ein grundlegendes Verständnis spezifischer physikalischer und chemischer Prozesse an den polaren Oberflächen und Grenzflächen von piezoelektrischen Heterostrukturen aus Gruppe III-Nitriden. Zunächst soll die im Rahmen der Vorarbeiten beobachtete hohe Sensitivität der elektronischen Eigenschaften von GaN-Schottky-Dioden, AlGaN/GaN Transistoren und Oberflächenwellen-Bauelementen gegenüber verschiedenartigen Umwelteinflüssen systematisch charakterisiert und quantitativ verstanden werden. Anschließend sollen entsprechend optimierte Sensorstrukturen realisiert und deren thermische, chemische und mechanische Stabilität charakterisiert werden. Dies soll verläßliche Aussagen über die Einsatzmöglichkeiten solcher Sensoren sowohl bei hohen Temperaturen wie auch in chemisch aggressiven Umgebungen erlauben.

Das Ziel des geplanten forschungspprojectsist - Erarbeitung der physikalischen Grundlagen von Gas-， flflsigkeits - and Drucksensoren - baserendendalgan / gan -异质结构sodie Realisierung and Charakterisierung entsprechender Sensor-Prototypen。notenddig hierf<s:1> r ist ein grundlegendes Verständnis spezifischer physikalischer und chemischer Prozesse and den polaren Oberflächen and Grenzflächen von piezoelektrischen heterostruckturen aus Gruppe iii - nitrin。Zunächst soll die im Rahmen der Vorarbeiten beobachtete hohe Sensitivität der elektronischen Eigenschaften von GaN- schottky - dioden， AlGaN/GaN晶体管和Oberflächenwellen-Bauelementen gegen<e:1> ber verschiedenartigen umwelteinflssen系统特征分析和定量分析。Anschließend sollen entsprechend optimierte sensorstruckturen realisiert and deren thermomische, chemische and mechanche Stabilität charakterisiert werden。die soll verläßliche Aussagen德国，德国，德国，德国，德国，德国，德国，德国，德国，德国，德国，德国。