Epitaxie auf freitragenden GaN-Substraten

悬臂式 GaN 衬底上的外延

• 批准号: 5170870
• 负责人: Professor Dr. Martin Stutzmann
• 金额: --
• 依托单位: Walter Schottky Institut für physikalische Grundlagen der Halbleiterelektronik (WSI)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5170870?language=en
• 关键词: Epitaxie; auf; freitragenden; GaN; Substraten

Freitragende GaN Substrate von hoher kristalliner Güte können mit einem speziellen Laser-lift off-Verfahren durch Delamination dicker HVPE-Schichten von deren Saphirsubstraten hergestellt werden. Dieser Prozeß erlaubt die schnelle Herstellung großflächiger, unverspannter GaN-Substrate, die insbesondere für die Homoepitaxie hervorragend geeignet sind, da nahezu alle Nachteile der gegenwärtig verwendeten Nitrid-Heteroepitaxie-Verfahren vermieden werden können. Ein erstes Ziel dieses Projektes ist es, den lift off-Prozeß und die Nachbehandlung der freitragenden GaN-Schichten weiter zu optimieren. Parallel dazu sollen grundlegende Erfahrungen mit der GaN-Homoepitaxie als auch mit der Charakterisierung homoepitaktischer Schichten gewonnen werden. Langfristiges Ziel des Projektes ist es, das Potential freitragender, kostengünstiger GaN-Substrate für die Herstellung optoelektronischer und elektronischer Leistungsbauelemente zu erforschen.

纳米氮化镓衬底von hoher结晶g<e:1> te können mit einem speziellen激光提升- verfahren durch分层dicker hpe - schichten von deren蓝宝石衬底hergestellt werden。Dieser Prozeß erlaubt die schnelle Herstellung großflächiger, unverspannter GaN-Substrate, die insbesonere f<e:1> r die homoepitaxxie hervorgenend geeiget sind， da nahezu alle Nachteile der gegenwärtig verwendeten氮素-异质外延- verfahren vermieden werden können。在此基础上，我们提出了一种新的解决方案，即解决方案和解决方案。平行dazu sollen grundlegende Erfahrungen mit der gan - homoepitaxy also aucch mit der Charakterisierung homoepitaktischer Schichten gewonnen werden。【关键词】GaN-Substrate；光电器件；光电器件；光电器件；