Elektronische Transporteigenschaften polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronen- und Löchergase in AlInGaN/GaN-basierenden Heterostrukturen hergestellt durch Epitaxie auf freitragenden GaN- bzw. Saphir-Substraten

zel des geplanten forschungspprojects ist die Realisierung hochbeweglicher zweidimensionaler电子接触酶durch die Herstellung von AlGaN/ ingan异质结构。基于压电和自发极化的三氮化基团和特殊结构的异质结构的优化研究Flächenladungsdichten hergestellt werden。Nach dem gegenwärtigen erkentnisist dies nur bei expliziter bercksichtigung der starken intrinsischen elektrischen Felder in nitrogen - heterostruckturen ereduzierbar möglich。Die geplanten Experimente sollen insonere ein grundlegendes Verständnis der Auswirkungen der spontanen and piezoelektrischen polarization in heterostruckturren as grouppe iii - nitrogen auf Die Ladungsträgerverteilungen, Die Bildung zweidimensionaler eletronengase and strahlendrecombinationse prozesse ermöglichen。Vorzeichen和Stärke der intrinsischen Felder sollen durch ine genaue分析der Ladungsträgerverteilung和Heterogrenzflächen mittels C-V-Messungen sowie直接mittels太赫兹光谱许可werden。Ein Verständnis der starken intrinsischen Felder ist eine unundingundingundervoraussetzung <s:1>晶体管优化设计与性能研究与分析。

Ziel des geplanten Forschungsprojekts ist die Realisierung hochbeweglicher zweidimensionaler Elektronengase durch die Herstellung von AlGaN/InGaN-Heterostrukturen. Unter Ausnutzung der hohen piezoelektrischen und spontanen Polarisation der Gruppe III-Nitride und speziell deren Heterostrukturen sollen 2DEG mit optimierten Flächenladungsdichten hergestellt werden. Nach dem gegenwärtigen Erkenntnisstand ist dies nur bei expliziter Berücksichtigung der starken intrinsischen elektrischen Felder in Nitrid-Heterostrukturen reproduzierbar möglich. Die geplanten Experimente sollen insbesondere ein grundlegendes Verständnis der Auswirkungen der spontanen und piezoelektrischen Polarisation in Heterostrukturen aus Gruppe III-Nitriden auf die Ladungsträgerverteilungen, die Bildung zweidimensionaler Elektronengase und strahlende Rekombinationsprozesse ermöglichen. Vorzeichen und Stärke der intrinsischen Felder sollen durch eine genaue Analyse der Ladungsträgerverteilung an Heterogrenzflächen mittels C-V-Messungen sowie direkt mittels Terahertz-Spektroskopie ermittelt werden. Ein Verständnis der starken intrinsischen Felder ist eine unabdingbare Voraussetzung für die Optimierung des Designs und der Performance von Transistoren und anderen Bauelementen.