Elektronische Transporteigenschaften polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronen- und Löchergase in AlInGaN/GaN-basierenden Heterostrukturen hergestellt durch Epitaxie auf freitragenden GaN- bzw. Saphir-Substraten

在自支撑 GaN 或蓝宝石衬底上外延生产的 AlInGaN/GaN 基异质结构中极化诱导的二维电子和空穴气体的电子传输特性

• 批准号: 5372195
• 负责人: Professor Dr. Martin Stutzmann
• 金额: --
• 依托单位: Walter Schottky Institut für physikalische Grundlagen der Halbleiterelektronik (WSI)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5372195?language=en
• 关键词: Elektronische; Transporteigenschaften; polarisationsinduzierter; zweidimensionaler; Elektronen

Ziel des geplanten Forschungsprojekts ist die Realisierung hochbeweglicher zweidimensionaler Elektronengase durch die Herstellung von AlGaN/InGaN-Heterostrukturen. Unter Ausnutzung der hohen piezoelektrischen und spontanen Polarisation der Gruppe III-Nitride und speziell deren Heterostrukturen sollen 2DEG mit optimierten Flächenladungsdichten hergestellt werden. Nach dem gegenwärtigen Erkenntnisstand ist dies nur bei expliziter Berücksichtigung der starken intrinsischen elektrischen Felder in Nitrid-Heterostrukturen reproduzierbar möglich. Die geplanten Experimente sollen insbesondere ein grundlegendes Verständnis der Auswirkungen der spontanen und piezoelektrischen Polarisation in Heterostrukturen aus Gruppe III-Nitriden auf die Ladungsträgerverteilungen, die Bildung zweidimensionaler Elektronengase und strahlende Rekombinationsprozesse ermöglichen. Vorzeichen und Stärke der intrinsischen Felder sollen durch eine genaue Analyse der Ladungsträgerverteilung an Heterogrenzflächen mittels C-V-Messungen sowie direkt mittels Terahertz-Spektroskopie ermittelt werden. Ein Verständnis der starken intrinsischen Felder ist eine unabdingbare Voraussetzung für die Optimierung des Designs und der Performance von Transistoren und anderen Bauelementen.

zel des geplanten forschungspprojects ist die Realisierung hochbeweglicher zweidimensionaler电子接触酶durch die Herstellung von AlGaN/ ingan异质结构。基于压电和自发极化的三氮化基团和特殊结构的异质结构的优化研究Flächenladungsdichten hergestellt werden。Nach dem gegenwärtigen erkentnisist dies nur bei expliziter bercksichtigung der starken intrinsischen elektrischen Felder in nitrogen - heterostruckturen ereduzierbar möglich。Die geplanten Experimente sollen insonere ein grundlegendes Verständnis der Auswirkungen der spontanen and piezoelektrischen polarization in heterostruckturren as grouppe iii - nitrogen auf Die Ladungsträgerverteilungen, Die Bildung zweidimensionaler eletronengase and strahlendrecombinationse prozesse ermöglichen。Vorzeichen和Stärke der intrinsischen Felder sollen durch ine genaue分析der Ladungsträgerverteilung和Heterogrenzflächen mittels C-V-Messungen sowie直接mittels太赫兹光谱许可werden。Ein Verständnis der starken intrinsischen Felder ist eine unundingundingundervoraussetzung <s:1>晶体管优化设计与性能研究与分析。