Untersuchung der metastabilen Löslichkeitsbereiche zwischen BN und A1N bei Abscheidung mittels PVD

研究使用 PVD ​​沉积时 BN 和 A1N 之间的亚稳态溶解度范围

• 批准号: 5148284
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Dieter Neuschütz
• 金额: --
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5148284?language=en
• 关键词: Untersuchung; der; metastabilen; slichkeitsbereiche; zwischen

Nitridische III-V Halbleiter eignen sich aufgrund ihrer hohen thermischen Leitfähigkeit und Stabilität, ihrer hohen mechanischen Festigkeit sowie ihrer großen Bandlücke besonders für die Hochleistungs-Hochfrequenz-Elektronik und HochfrequenzOptoelektronik. AI, GaN und InN weisen vollständige gegenseitige Löslichkeit auf, wodurch die Bandlücke des Halbleiters zwischen 1,9 und 6,2 eV eingestellt werden kann. BN bildet aufgrund seiner anderen Kristallstruktur im Gleichgewicht keine Löslichkeitsphasen mit den anderen Gruppe III-Nitriden. Die Herstellung metastabiler Mischphasen wäre jedoch wünschenswert, da mit vier Gruppe III-Nitriden Bandlücke und Gitterparameter unabhängig voneinander eingestellt werden können, was eine Minimierung der Gitterfehlpassung zwischen Substrat und Schicht bei vorgegebener Bandlücke ermöglicht. Im geplanten Projekt sollen daher exemplarisch die metastabilen Löslichkeitsbereiche zwischen AIN und BN durch Abscheidung mittels PVD ermittelt werden. Besonderes Augenmerk gilt hier der maximalen Löslichkeit von BN in der sp3-gebundenen Wurtzitstruktur, die für elektronische Anwendungen geeignet ist. Die Analyse der Nitride wird in situ mittels Auger- und Photoelektronenmikroskopie, Elektronen-Energieverlustspektroskopie und Beugung hochenergetischer Elektronen erfolgen.

Nitridische III-V Halbleiter eignen sich aufgrund ihrer hohen thermischen Leitfähigkeit und Stabilität，ihrer hohen mechanischen Festigkeit sowie ihrer großen Bandlücke besonders für die Hochfrequestungs-Hochfrequenz-Elektronik und HochfrequenzOptoelektronik. Al、GaN和InN可以在1，9和6，2 eV的半导体带上形成发光体，这是韦尔登可以实现的。BN在Gleichgewicht中没有与其他第三氮化物集团合作的Löslichkeitsphasen。Hestellung亚稳定剂Mischphasen是一种非常有效的方法，通过使用III族氮化物Bandlücke和Gitterparameters unabhängig voneinander韦尔登können，可以将Gitterfehlpasung zwischen Substrat和Schicht最小化为vorgebener Bandlücke ermöglicht。在该项目中，通过PVD工艺制备AlN和BN的亚稳定性是一个很好的例子，韦尔登。在sp3-gebundenen Wurtzitstruktur中，Augenmerk镀金以最大限度地提高BN的Löslichkeit，这对电子设备是有利的。氮化物的原位分析包括俄歇和光电子显微镜、电子能谱和高能量电子能谱。