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フックオンイオン注入法によるショットキー障壁形FETの高周波化に関する研究

フックオンイオン注入法によるショットキー障壁形FETの高周波化に関する研究
挂接离子注入法提高肖特基势垒场效应管频率的研究
批准号：
X00210----275159
负责人：
石原 宏
金额：
$0.26万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1977
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1977 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00210----275159/
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クロマチンインスレーター複合体によるクロマチン制御機構
  • 批准号：
    20052022
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $3.65万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    石原 宏
  • 依托单位：
    Kumamoto University
有機強誘電体ゲート有機トランジスタの不揮発性メモリ応用に関する研究
  • 批准号：
    07F07111
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    石原 宏
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
強誘電体ゲートトランジスタの高信頼性化に関する研究
  • 批准号：
    06F06135
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.66万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    石原 宏
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
制作者の体験からみた箱庭療法の「治療的要因」に関する心理臨床学的研究