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イオン注入法による固相エピタキシャル成長現象の制御

イオン注入法による固相エピタキシャル成長現象の制御
通过离子注入控制固相外延生长现象
批准号:
X00090----455004
负责人:
石原 宏
金额:
$1.6万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1979
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1979 至 --
关键词:

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クロマチンインスレーター複合体によるクロマチン制御機構
  • 批准号:
    20052022
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $3.65万
  • 财政年份:
    2008
  • 负责人:
    石原 宏
  • 依托单位:
有機強誘電体ゲート有機トランジスタの不揮発性メモリ応用に関する研究
  • 批准号:
    07F07111
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.41万
  • 财政年份:
    2007
  • 负责人:
    石原 宏
  • 依托单位:
強誘電体ゲートトランジスタの高信頼性化に関する研究
  • 批准号:
    06F06135
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.66万
  • 财政年份:
    2006
  • 负责人:
    石原 宏
  • 依托单位:
制作者の体験からみた箱庭療法の「治療的要因」に関する心理臨床学的研究