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強誘電体ゲートトランジスタの高信頼性化に関する研究

強誘電体ゲートトランジスタの高信頼性化に関する研究
高可靠性铁电栅晶体管的研究
批准号：
06F06135
负责人：
石原 宏
金额：
$1.66万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06F06135/
关键词：
強誘電体メモリ強誘電体ゲートトランジスタデータ保持ゾルゲル法SrBi_2Ta_2O_9

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项目成果

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強誘電体ゲート・トランジスタでは、ゲート強誘電体膜とSi基板との反応を防止するために、両者の間に高誘電率絶縁膜(バッファ層)を挿入する。本研究では、バッファ層材料として、HfTaO,HfSiONなどのHf系非晶質材料と、単結晶SrTiO_3(STO)薄膜とを用いて、MFISダイオードを作製した。また、ゲート電極に印加する電圧を有効に強誘電体膜に配分するためには、強誘電体膜の比誘電率が低いことが望ましい。そのため、強誘電体材料としては、ゾルゲル法で形成したSrBi_2Ta_2O_9(SBT)にZrSiO_4を添加することを試みた。結果として、2nmの厚さのHfSiONをバッファ層に、300nmの厚さのSBTを強誘電体膜に用いたMFISダイオードにおいて、±6Vの書き込み電圧により0.86Vのメモリウインドウ幅を実現することができた。また、容量-電圧ヒステリシスの中央の電圧にバイアスした場合の、高容量、低容量は24時間経過後にも明瞭に分離されており、データ保持特性は良好であった。一方、SBTにZrSiO_4を添加する実験では、仮焼成温度が750℃(1分間)と高い場合にはSBT膜の比誘電率が200程度あるのに対し、仮焼成温度が400℃(10分間)の場合には比誘電率が130程度にまで低下すること、この膜にZrSiO_4を10%程度添加すると、比誘電率を100程度にまで低下できることを明らかにした。
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会议论文
Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-silicon devices using HfSiON buffer lavers
使用 HfSiON 缓冲层的金属-铁电-绝缘体-硅器件的特性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Integrated Ferroelectrics 97
影响因子： --
作者： [X-B. Lu, H. Hoko, K. Maruyama, H. Ishiwara]
通讯作者： H. Ishiwara
ZrSiO_4-doped Sr_<0.8>Bi_<2.2>Ta_2O_9 films suitable for ferroelectric-gate FET applications
适用于铁电栅极 FET 应用的 ZrSiO_4 掺杂 Sr_<0.8>Bi_<2.2>Ta_2O_9 薄膜
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [X-B. Lu, Y. Sugiyama, H. Ishiwara]
通讯作者： H. Ishiwara
Fabrication and characterization of metal-ferroelectric-insulator-Si diodes and transistors with different HfSiON buffer layer thickness
不同 HfSiON 缓冲层厚度的金属-铁电-绝缘体-硅二极管和晶体管的制造和表征
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： J. Mater. Res. 23
影响因子： --
作者： [X-B. Lu, H. Ishiwara]
通讯作者： H. Ishiwara
Characterization of HfTaO films for gate oxide and metal-ferroelectric-insulator-silicon device applications
DOI： 10.1063/1.2871772
发表时间： 2008-02-15
期刊： JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 3.2
作者： [Lu, Xu-Bing, Maruyama, Kenji, Ishiwara, Hiroshi]
通讯作者： Ishiwara, Hiroshi
クロマチンインスレーター複合体によるクロマチン制御機構
  • 批准号：
    20052022
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $3.65万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    石原 宏
  • 依托单位：
    Kumamoto University
有機強誘電体ゲート有機トランジスタの不揮発性メモリ応用に関する研究
  • 批准号：
    07F07111
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    石原 宏
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
制作者の体験からみた箱庭療法の「治療的要因」に関する心理臨床学的研究
カーボンナノチューブを用いた強誘電体/半導体直接接触トランジスタの作製
  • 批准号：
    17656114
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.24万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    石原 宏
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
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