制作者の体験からみた箱庭療法の「治療的要因」に関する心理臨床学的研究
制作者の体験からみた箱庭療法の「治療的要因」に関する心理臨床学的研究
批准号:
17730401
负责人:
石原 宏
金额:
$1.73万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2007
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本年度は、昨年度までに、いわゆる"健常な"大学生(非臨床群)を対象として行った箱庭制作調査と制作者による体験の語りをデータとして行った質的分析をベースデータとして、研究代表者がこれまでに臨床心理士として関与した臨床事例におけるクライエント(臨床群)の体験の比較分析を行った。その結果、非臨床群の制作体験には出現していなかった臨床群に特有と考えられる体験のあり方が浮き彫りとなり、またそこで見られた特徴的な体験のあり方が、そのクライエントが、臨床の場を訪れざるを得なかった心理的課題と密接に関連しており、クライエントを見立てる有効な手がかりとなり得ることを示すことができた。また、こうした比較分析を通して、制作者の体験からみた「治療的要因」について検討したところ、箱庭の用具そのものやセッティングそのものに治療的要因があるというよりも、そうしたセッティングがあたかも治療的要因を持つかのように体験することを可能とする制作者自身の心の機能にこそ「治療的要因」の本質があるのではないかと考えられた。こうした点については、臨床心理学のみならず、進化心理学の観点からみた「感覚」に関する議論(Humphrey,N.,2006)や、神経心理学の観点からみた「触覚」と「視覚」の曖昧さに関する議論(Armel,K.C.&Ramachandran,V.S.,2003)、またイメージを「仮想的身体運動」として捉える視点(月本ら,2003)などとも矛盾なく馴染むのではないかと考えられた。
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会议论文
クロマチンインスレーター複合体によるクロマチン制御機構
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批准号:20052022
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.65万
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财政年份:2008
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负责人:石原 宏
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依托单位:
有機強誘電体ゲート有機トランジスタの不揮発性メモリ応用に関する研究
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批准号:07F07111
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2007
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负责人:石原 宏
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依托单位:
強誘電体ゲートトランジスタの高信頼性化に関する研究
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批准号:06F06135
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.66万
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财政年份:2006
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负责人:石原 宏
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依托单位:
カーボンナノチューブを用いた強誘電体/半導体直接接触トランジスタの作製
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批准号:17656114
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2005
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负责人:石原 宏
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依托单位:
マウスIgf2/H19遺伝子ドメインのインプリンティング制御機構の研究
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批准号:99J03422
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1999
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负责人:石原 宏
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依托单位:
超高圧下アニールと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑制
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批准号:05211211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1993
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负责人:石原 宏
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依托单位:
超高圧下アニールと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑性
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批准号:04227215
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1992
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负责人:石原 宏
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依托单位:
超高圧下アニ-ルと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑制
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批准号:03243216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1991
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负责人:石原 宏
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依托单位:
ア-ク放電蒸着法を用いたSi基板上への酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長
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批准号:01644510
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.56万
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财政年份:1989
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负责人:石原 宏
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依托单位:
シリコン/絶縁物/シリコン構造を用いた積層形 MIS集積回路の製作
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批准号:57850092
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1982
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负责人:石原 宏
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依托单位:
埋込み金属ゲート形静電誘導トランジスタの試作
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批准号:56850033
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:1981
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负责人:石原 宏
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依托单位:
走査形電子ビーム加熱による金属シリサイド層のエピタキシャル成長
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批准号:X00090----555004
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1980
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负责人:石原 宏
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依托单位:
イオン注入法による固相エピタキシャル成長現象の制御
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批准号:X00090----455004
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1979
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负责人:石原 宏
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依托单位:
フックオンイオン注入法によるショットキー障壁形FETの高周波化に関する研究
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批准号:X00210----275159
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.26万
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财政年份:1977
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负责人:石原 宏
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依托单位:
Pd_2Si 層上に形成した多結晶Si層の電気的, 結晶学的特性に関する研究
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批准号:X00210----175162
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.22万
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财政年份:1976
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负责人:石原 宏
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依托单位:
注入イオンのノックオン現象を用いた半導体への不純物導入法に関する研究
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批准号:X00210----075140
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.2万
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财政年份:1975
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负责人:石原 宏
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依托单位:
イオン注入法によるバリットダイオードの低電圧化に関する研究
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批准号:X00210----975143
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.19万
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财政年份:1974
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负责人:石原 宏
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依托单位:
海外基金