走査形電子ビーム加熱による金属シリサイド層のエピタキシャル成長
走査形電子ビーム加熱による金属シリサイド層のエピタキシャル成長
批准号:
X00090----555004
负责人:
石原 宏
金额:
$1.73万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1980
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1980 至 --
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クロマチンインスレーター複合体によるクロマチン制御機構
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批准号:20052022
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.65万
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财政年份:2008
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负责人:石原 宏
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依托单位:
有機強誘電体ゲート有機トランジスタの不揮発性メモリ応用に関する研究
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批准号:07F07111
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2007
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负责人:石原 宏
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依托单位:
強誘電体ゲートトランジスタの高信頼性化に関する研究
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批准号:06F06135
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.66万
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财政年份:2006
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负责人:石原 宏
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依托单位:
制作者の体験からみた箱庭療法の「治療的要因」に関する心理臨床学的研究
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批准号:17730401
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.73万
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财政年份:2005
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负责人:石原 宏
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依托单位:
カーボンナノチューブを用いた強誘電体/半導体直接接触トランジスタの作製
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批准号:17656114
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2005
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负责人:石原 宏
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依托单位:
マウスIgf2/H19遺伝子ドメインのインプリンティング制御機構の研究
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批准号:99J03422
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1999
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负责人:石原 宏
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依托单位:
超高圧下アニールと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑制
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批准号:05211211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1993
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负责人:石原 宏
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依托单位:
超高圧下アニールと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑性
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批准号:04227215
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1992
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负责人:石原 宏
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依托单位:
超高圧下アニ-ルと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑制
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批准号:03243216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1991
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负责人:石原 宏
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依托单位:
ア-ク放電蒸着法を用いたSi基板上への酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長
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批准号:01644510
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.56万
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财政年份:1989
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负责人:石原 宏
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依托单位:
シリコン/絶縁物/シリコン構造を用いた積層形 MIS集積回路の製作
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批准号:57850092
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1982
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负责人:石原 宏
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依托单位:
埋込み金属ゲート形静電誘導トランジスタの試作
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批准号:56850033
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:1981
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负责人:石原 宏
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依托单位:
イオン注入法による固相エピタキシャル成長現象の制御
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批准号:X00090----455004
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1979
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负责人:石原 宏
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依托单位:
フックオンイオン注入法によるショットキー障壁形FETの高周波化に関する研究
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批准号:X00210----275159
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.26万
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财政年份:1977
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负责人:石原 宏
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依托单位:
Pd_2Si 層上に形成した多結晶Si層の電気的, 結晶学的特性に関する研究
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批准号:X00210----175162
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.22万
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财政年份:1976
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负责人:石原 宏
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依托单位:
注入イオンのノックオン現象を用いた半導体への不純物導入法に関する研究
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批准号:X00210----075140
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.2万
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财政年份:1975
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负责人:石原 宏
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依托单位:
イオン注入法によるバリットダイオードの低電圧化に関する研究
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批准号:X00210----975143
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.19万
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财政年份:1974
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负责人:石原 宏
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依托单位: