课题基金 / 基金详情

超高圧下アニールと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑制

超高圧下アニールと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑制
超高压退火和压温差比例下降法抑制异质结构热失准缺陷
批准号：
05211211
负责人：
石原 宏
金额：
$1.28万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1993
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1993 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05211211/
关键词：
ヘテロ構造熱不整超高圧GaAsSi弾性歪

项目摘要

项目成果

石原 宏的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
本年度は、Si基板上にMOCVD(有機金属気相成長)法で、GaAs薄膜を成長させた構造に最大2.1GPa(2万1千気圧)の圧力を印加して実験を行った。アニール時間は20〜40分間、アニール温度は300〜500℃である。この結果、圧力の増加と共に残留歪が直線的に減少し、1.9GPaの圧力下でアニールするとGaAs膜中の残留歪がほぼ0となること、圧力依存性はアニール温度を変化させてもほとんど変化しないことなどが明らかになった。同時に、GaAs膜の結晶性を高速イオン後方散乱法で評価した結果、超高圧下でアニールすると膜の結晶性が若干悪化することが示された。次に、結晶性が劣化する原因について考察し、Si基板上にGaAs膜が一様に形成されている場合には、超高圧アニール中に界面原子が十分に再配列できない可能性のあることを指摘した。さらに、この問題を避けるために、GaAs薄膜を縞状にエッチングすることを提案し、実験的に検討している。GaAs膜を幅10μmの縞状にエッチングした結果では、高速イオンの後方散乱法で評価する限り、膜の結晶性が全く劣化しないことが明らかとなり、超高圧下アニール法の有効性が実証された。さらに、フオトルミネッセンス法を用いて発光特性を評価したが、ルミネッセンス特性は劣化することが見出され、発光デバイスとして用いるためにはさらにアニール方法を工夫する必要のあることが明らかとなった。
英文摘要
本年度は、Si基板上にMOCVD(有機金属気相成長)法で、GaAs薄膜を成長させた構造に最大2.1GPa(2万1千気圧)の圧力を印加して実験を行った。アニール時間は20〜40分間、アニール温度は300〜500℃である。この結果、圧力の増加と共に残留歪が直線的に減少し、1.9GPaの圧力下でアニールするとGaAs膜中の残留歪がほぼ0となること、圧力依存性はアニール温度を変化させてもほとんど変化しないことなどが明らかになった。同時に、GaAs膜の結晶性を高速イオン後方散乱法で評価した結果、超高圧下でアニールすると膜の結晶性が若干悪化することが示された。次に、結晶性が劣化する原因について考察し、Si基板上にGaAs膜が一様に形成されている場合には、超高圧アニール中に界面原子が十分に再配列できない可能性のあることを指摘した。さらに、この問題を避けるために、GaAs薄膜を縞状にエッチングすることを提案し、実験的に検討している。GaAs膜を幅10μmの縞状にエッチングした結果では、高速イオンの後方散乱法で評価する限り、膜の結晶性が全く劣化しないことが明らかとなり、超高圧下アニール法の有効性が実証された。さらに、フオトルミネッセンス法を用いて発光特性を評価したが、ルミネッセンス特性は劣化することが見出され、発光デバイスとして用いるためにはさらにアニール方法を工夫する必要のあることが明らかとなった。
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
H.Ishiwara,T.Hoshino,M.Usui,H.Katahama: "Formation of Strain-free GaAs-On-Si Structures by Annealing under Ultrahigh Pressure" Ext.Abst.Intern.Conf.on Solid State Devices and Materials. 122-124 (1993)
H.Ishiwara、T.Hoshino、M.Usui、H.Katahama：“通过超高压退火形成无应变 GaAs-On-Si 结构”Ext.Abst.Intern.Conf.on 固态器件和材料。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Ishiwara,T.Hoshino: "Formation of Strain-free GaAs-On-Si Structures by Annealing under Ultrahigh Pressure" Proc.7th Topical Meeting on Crys.Growth Mechanism. 367-370 (1994)
H.Ishiwara、T.Hoshino：“超高压下退火形成无应变 GaAs-On-Si 结构”Proc.7th Crys.Growth Mechanic 专题会议。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
クロマチンインスレーター複合体によるクロマチン制御機構
  • 批准号：
    20052022
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $3.65万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    石原 宏
  • 依托单位：
    Kumamoto University
有機強誘電体ゲート有機トランジスタの不揮発性メモリ応用に関する研究
  • 批准号：
    07F07111
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    石原 宏
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
強誘電体ゲートトランジスタの高信頼性化に関する研究
  • 批准号：
    06F06135
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.66万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    石原 宏
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
制作者の体験からみた箱庭療法の「治療的要因」に関する心理臨床学的研究
海外基金