Generalized infrared ellipsometrie determination of crystal structure and free-carrier properties from complex group III nitride heterostructure

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Gruppe III-Nitride sind Verbindungen, von denen sowohl optischisotrope als auch optisch-anisotrope Phasen bekannt sind. Bei der Dünnschicht-Abscheidung variieren in Abhängigkeit vom Technologie-Verfahren i. a. Kristall- und Mikrostruktur der Gruppe III-Nitride. Demzufolge verändern sich vor allem die infrarotoptischen Eigenschaften. Bei Dotierung einer Schicht beeinflussen darüber hinaus die freien Ladungsträger über die Plasmon-Phonon-Kopplung die anisotrope dielektrische Funktion erheblich. Unser Vorhaben innerhalb des Schwerpunktprogramms dient dem Ziel: 1. erstmalig mittels Verallgemeinerter Infrarot-Ellipsometrie über die optisch-dielektrischen Eigenschaften die Kristallstruktur und im Falle der Dotierung die Konzentration und Beweglichkeit freier Ladungsträger der einzelnen Schichten in Gruppe III-Nitrid-Dünnschicht-Heterostrukturen zu bestimmen; 2. dafür diejenigen optischen Eigenschaften der verwendeten Standard- und alternativen Substratmaterialien systematisch zu untersuchen, die noch nicht hinreichend genau bekannt sind, und 3. dazu erstmalig die Methode der Verallgemeinerten Spektral-Ellipsometrie auf Untersuchungen anisotroper Medien im mittleren Infrarotbereich zu übertragen.