Generalized infrared ellipsometrie determination of crystal structure and free-carrier properties from complex group III nitride heterostructure

广义红外椭圆光度法测定复杂 III 族氮化物异质结构的晶体结构和自由载流子特性

• 批准号: 5170322
• 负责人: Professor Dr. Bernd Rheinländer
• 金额: --
• 依托单位: Felix-Bloch-Institut für Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5170322?language=en
• 关键词: Generalized; infrared; ellipsometrie; determination; crystal

Gruppe III-Nitride sind Verbindungen, von denen sowohl optischisotrope als auch optisch-anisotrope Phasen bekannt sind. Bei der Dünnschicht-Abscheidung variieren in Abhängigkeit vom Technologie-Verfahren i. a. Kristall- und Mikrostruktur der Gruppe III-Nitride. Demzufolge verändern sich vor allem die infrarotoptischen Eigenschaften. Bei Dotierung einer Schicht beeinflussen darüber hinaus die freien Ladungsträger über die Plasmon-Phonon-Kopplung die anisotrope dielektrische Funktion erheblich. Unser Vorhaben innerhalb des Schwerpunktprogramms dient dem Ziel: 1. erstmalig mittels Verallgemeinerter Infrarot-Ellipsometrie über die optisch-dielektrischen Eigenschaften die Kristallstruktur und im Falle der Dotierung die Konzentration und Beweglichkeit freier Ladungsträger der einzelnen Schichten in Gruppe III-Nitrid-Dünnschicht-Heterostrukturen zu bestimmen; 2. dafür diejenigen optischen Eigenschaften der verwendeten Standard- und alternativen Substratmaterialien systematisch zu untersuchen, die noch nicht hinreichend genau bekannt sind, und 3. dazu erstmalig die Methode der Verallgemeinerten Spektral-Ellipsometrie auf Untersuchungen anisotroper Medien im mittleren Infrarotbereich zu übertragen.

第三族氮化物是非常复杂的，因为它们的光学各向同性也是光学各向异性相。Bei der Dünschicht-Abscheidung variieren in Abhängigkeit vom Technologie-Verfahren i. a. Kristall- und Mikrostruktur der Gruppe III-Nitride. Demzufolge verändern sich vor allem die infarotoptischen Eigenschaften. Bei Dotierung einer Schicht beeinflussen darüber hinaus die freien Ladungsträger über die plasmon-Phonon-Kopplung die anisotrope dielektrische Funktion erheblich. Unser Vorhaben innerhalb des Schwerpunktprogramms dient dem Ziel：1.第三组-氮化物-Dünnschicht-Heterostrukturen中晶体结构的光学-电介质本征特性及其在晶体结构中的衍射和反射特性的测量误差; 2. dafür diejenigen optischen Eigenschaften der verwendeten Standard- und alternativen Substratmaterialien systematisch zu untersuchen，die noch nicht hinreichend genau bekannt sind，und 3.因此，我们首先提出了一种在近红外波段利用各向异性介质进行光谱椭偏测量的方法。