Entwicklung und Simulation effizienter Modelle für epitaktisches Kristallwachstum

Die Bedeutung mikroskopischer Mechanismen für die Gestalt und das Skalenverhalten wachsender Kristalloberflächen soll，vorwiegend anhand von Computer-Simulationen，untersucht韦尔登.本文介绍了一种基于Solid-On-Solid-Modell的圆盘模型、一种新的模型、一种新的计算模型和一种有效的计算机仿真系统，并在此基础上提出了一种新的三维结构，该结构具有更好的内点选择性和粗化性。在吸收动力学和上表面韦尔登的完形学中，吸收机制、解吸、扩散和Kantendiffusion的作用是不可缺少的。

Die Bedeutung mikroskopischer Mechanismen für die Gestalt und das Skalenverhalten wachsender Kristalloberflächen soll, vorwiegend anhand von Computer-Simulationen, untersucht werden. Dabei wird von einem diskreten Solid-On-Solid-Modell ausgegangen, das einem einatomigen, einfach-kubischen Modellkristall entspricht und die effiziente Computersimulation großer Systeme gestattet.Im Vordergrund stehen die Ausbildung dreidimensionaler Strukturen mit wohldefinierter Neigung (Neigungselektion) und die Vergröberung dieser Strukturen (Coarsening) im Laufe des Wachstums. Insbesondere soll die Rolle von Inkorporationsmechanismen, Desorption, Diffusion und Kantendiffusion in bezug auf die Skalengesetze der Vergröberungsdynamik und die Gestalt der Oberflächen geklärt werden.