Entwicklung und Simulation effizienter Modelle für epitaktisches Kristallwachstum

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Die Bedeutung mikroskopischer Mechanismen für die Gestalt und das Skalenverhalten wachsender Kristalloberflächen soll, vorwiegend anhand von Computer-Simulationen, untersucht werden. Dabei wird von einem diskreten Solid-On-Solid-Modell ausgegangen, das einem einatomigen, einfach-kubischen Modellkristall entspricht und die effiziente Computersimulation großer Systeme gestattet.Im Vordergrund stehen die Ausbildung dreidimensionaler Strukturen mit wohldefinierter Neigung (Neigungselektion) und die Vergröberung dieser Strukturen (Coarsening) im Laufe des Wachstums. Insbesondere soll die Rolle von Inkorporationsmechanismen, Desorption, Diffusion und Kantendiffusion in bezug auf die Skalengesetze der Vergröberungsdynamik und die Gestalt der Oberflächen geklärt werden.