主鎖・側鎖にヘテロ元素を有する非炭素骨格高分子の電子物性

主链和侧链含有异质元素的非碳骨架聚合物的电子性能

• 批准号: 10133231
• 负责人: 田川 精一
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1998 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10133231/
• 关键词: ポリシラン; ヘテロ元素; ピロール; エキサイプレックス; パルスラジオリシス; ラジカルカチオン; ラジカルアニオン; 過渡吸収

本年度の研究により、側鎖に窒素、硫黄といった4B族元素以外のへテロ原子を含む複素環状置換基、特にチオフェン・ピロール環を有するシリコン骨格高分子が合成された。これらの高分子では主鎖の電子構造が置換基により大きく影響を受ける事が示唆された。特に主鎖上の過剰電子・正孔といった電荷キャリアの挙動は、これらのへテロ環置換基によって非常に大きく影響をうけ、正・負一方のキャリアに対し選択的に局在・非局在状態を形成しうる事が明らかとなった。かかる知見は申請者らの有する電子線パルスラジオリシス法を用いて得られ、これら高分子の電子状態を解明する手法として極めて有効である事が立証された。また、ヘテロ環置換により、主鎖共役・系起因の発色団も直接影響を受け、可視光領域にも光学吸収を有する線形高分子が得られた。ポリシラン・ポリゲルマンは従来より近紫外光照射によってのみキャリアを生成するとされてきたが、可視光照射においてもキャリアを生成し得る高分子が得られている。さらに、今回導入されたピロール型の置換基は、従来の有機置換基と比較し、その化学反応性が高く、今後使用材料用途に応じ様々な修飾が可能になることが示唆された。

This year's research focuses on the synthesis of polymer molecules containing complex cyclic substitution groups and special cyclic substitution groups other than group 4B elements such as sulfur and sulfur. The electronic structure of these polymers is mainly composed of substitution groups, which are affected by the reaction. In particular, the excessive electrons, positive holes and charge fluctuations on the main lock have a very large impact on the current cyclic displacement base, and it is clear that the positive and negative sides of the charge fluctuations are related to the current and non-current states of the selection. The electronic state of polymers can be explained by the method of electronic resonance. For example, in the field of optical absorption, linear polymers can be obtained by direct influence of the main chain reaction and the color reaction. The polymer is produced by near ultraviolet irradiation. Now, the introduction of a single type of substitution group, a single organic substitution group, a high chemical reactivity, and a possible modification of the material in the future

项目成果

S.Seki et al.: "Radical Stability of Aryl Substituted Polysilanes with Linear and Planar Silicon Skeleton" J.Phys.Chem.B. 102. 8367-8370 (1998)

S.Seki 等人：“具有线性和平面硅骨架的芳基取代聚硅烷的自由基稳定性”J.Phys.Chem.B。

S.Seki et al.: "Photo-Induced Reaction Dynamics in Poly(di-n-hexylsilylene) by Excimer Laser Flash Photolysis" Chem.Lett.1158-1159 (1998)

S.Seki 等人：“通过准分子激光闪光光解研究聚（二正己基甲硅烷基）中的光诱导反应动力学”Chem.Lett.1158-1159 (1998)

S.Seki et al.: "Electronic Structure of Radical Anions and Cations of Polysilanes with Structural Defects" Macromolecules. 32. 1080-1086 (1999)

S.Seki 等人：“具有结构缺陷的聚硅烷的自由基阴离子和阳离子的电子结构”大分子。

Y.Matsui et al.: "Electronic Structure of Polysilanes Studied by Femtosecond Laser Flash Photolysis" Chem.Lett.861-862 (1998)

Y.Matsui 等人：“通过飞秒激光闪光光解研究聚硅烷的电子结构”Chem.Lett.861-862 (1998)

S.Seki et al.: "Ion Beam Induced Crosslinking Reactions in Poly(di-n-hexylsilane)" J.Phys.Chem.B. (1999)

S.Seki 等人：“聚（二正己基硅烷）中的离子束诱导交联反应”J.Phys.Chem.B。