グラフェンの化学気相成長過程における核形成機構と成長端での原子取込み機構の解明
グラフェンの化学気相成長過程における核形成機構と成長端での原子取込み機構の解明
批准号:
13J10382
负责人:
寺澤 知潮
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2015-03-31
中文摘要
グラフェンの画期的な物性を産業的に応用するためには,大面積かつ単層の試料を再現性良く得ることが重要である.銅基板上での化学気相成長法はこのようなグラフェンの作製において有利と考えられている.本年度は前年度に引き続きグラフェンの化学気相成長法のその場観察の研究を行い,本研究の目的であるグラフェン化学気相成長法の機構の解明に寄与する結果を得た.また,産業応用に向けて成長条件の最適化の指針を提案した.以下に研究成果の内容について具体的に示す.本研究ではグラフェンの化学気相成長法の機構解明のために光学顕微鏡を用いた新たなその場観察の手法開発を試みてきた.グラフェンの成長時にグラフェンと銅基板の黒体輻射の強度差に注目するとグラフェン成長のその場観察が可能であることはすでに昨年度に報告した.同時に原料気体であるメタンの流量や基板の温度がグラフェン成長に大きな影響を与えることをその場観察によっても明らかにしてきた.本年度は近年注目されている成長条件である系中に残留している酸素濃度に着目して研究を行った.その結果,系中の酸素濃度が高いほどグラフェンの核発生や成長速度が遅くなる一方で,グラフェンが除去される速度は高くなることが明らかになった.以上の結果を総括し,メタンからのグラフェン成長前駆体の生成と残留酸素による前駆体の消費の競合によってグラフェンの成長様式が決定されるという機構を考察した.さらに考察を進め,グラフェンの化学気相成長法における成長条件としては系中に不純物として存在する酸素の量を確定させた後に最後にメタン流量を決定するべきであるという指針を提案した.以上の内容は応用物理学会において講演奨励賞を受賞するとともに,Nature Communications誌およびApplied Physics Express誌に掲載された.
英文摘要
グラフェンの画期的な物性を産業的に応用するためには,大面積かつ単層の試料を再現性良く得ることが重要である.銅基板上での化学気相成長法はこのようなグラフェンの作製において有利と考えられている.本年度は前年度に引き続きグラフェンの化学気相成長法のその場観察の研究を行い,本研究の目的であるグラフェン化学気相成長法の機構の解明に寄与する結果を得た.また,産業応用に向けて成長条件の最適化の指針を提案した.以下に研究成果の内容について具体的に示す.本研究ではグラフェンの化学気相成長法の機構解明のために光学顕微鏡を用いた新たなその場観察の手法開発を試みてきた.グラフェンの成長時にグラフェンと銅基板の黒体輻射の強度差に注目するとグラフェン成長のその場観察が可能であることはすでに昨年度に報告した.同時に原料気体であるメタンの流量や基板の温度がグラフェン成長に大きな影響を与えることをその場観察によっても明らかにしてきた.本年度は近年注目されている成長条件である系中に残留している酸素濃度に着目して研究を行った.その結果,系中の酸素濃度が高いほどグラフェンの核発生や成長速度が遅くなる一方で,グラフェンが除去される速度は高くなることが明らかになった.以上の結果を総括し,メタンからのグラフェン成長前駆体の生成と残留酸素による前駆体の消費の競合によってグラフェンの成長様式が決定されるという機構を考察した.さらに考察を進め,グラフェンの化学気相成長法における成長条件としては系中に不純物として存在する酸素の量を確定させた後に最後にメタン流量を決定するべきであるという指針を提案した.以上の内容は応用物理学会において講演奨励賞を受賞するとともに,Nature Communications誌およびApplied Physics Express誌に掲載された.
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グラフェンCVD成長の光学顕微鏡観察
石墨烯CVD生长的光学显微镜观察
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[寺澤知潮, 斉木幸一朗]
通讯作者:
斉木幸一朗
グラフェンCVD成長における酸素分圧の影響
氧分压对石墨烯CVD生长的影响
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Keishi Akada, Tomo-o Terasawa, Gaku Imamura, Seiji Obata, and Koichiro Saiki, 寺澤知潮,斉木幸一朗]
通讯作者:
寺澤知潮,斉木幸一朗
黒体輻射顕微法によるグラフェンCVD成長のその場観察
使用黑体辐射显微镜原位观察石墨烯 CVD 生长
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Keishi Akada, Tomo-o Terasawa, Gaku Imamura, Seiji Obata, and Koichiro Saiki, 寺澤知潮,斉木幸一朗, 寺澤知潮,斉木幸一朗]
通讯作者:
寺澤知潮,斉木幸一朗
DOI:
10.7567/apex.8.035101
发表时间:
2015-03-01
期刊:
APPLIED PHYSICS EXPRESS
影响因子:
2.3
作者:
[Terasawa, Tomo-o, Saiki, Koichiro]
通讯作者:
Saiki, Koichiro
黒体輻射を用いたグラフェンCVD成長の光学顕微鏡観察
使用黑体辐射光学显微镜观察石墨烯 CVD 生长
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[寺澤知潮, 斉木幸一朗]
通讯作者:
斉木幸一朗
共 7 条
低速水素イオン照射装置の高輝度化によるグラフェンの水素イオン透過機構の解明
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批准号:23K04548
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2023
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负责人:寺澤 知潮
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依托单位:
グラフェン/SiC界面への水素侵入のその場観察による機構解明
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批准号:18H05955
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项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额:$1.91万
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财政年份:2018
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负责人:寺澤 知潮
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依托单位:
海外基金