触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス

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触媒化学気相成長(触媒CVD、Cat-CVD)法はホットワイアCVD法とも呼ばれ、研究代表者(松村)らによる10数年にわたる研究の結果、アモルファスシリコン膜、微(多)結晶シリコン膜、シリコン窒化膜などの形成法として有望であることが明らかになり、薄膜太陽電池、薄膜トランジスタなどの大面積デバイス用半導体膜や化合物半導体デバイス保護膜の形成手法として注目されている。このような状況下において、Cat-CVD法の研究者ならびに関連周辺分野の研究者を一同に会した国際会議を開催し、Cat-CVD法におけるシリコン系薄膜の成長機構の解明などの基礎的検討からデバイス応用にいたるまで、幅広い視点で議論するこをは極めて有益である。本研究では、国際会議開催の準備段階として、Cat-CVD法ならびに関連周辺分野の研究者で研究組織を結成し、Cat-CVD法と周辺技術の現状における問題点とその解決手段を広く調査し、平成12年度に開催予定の国際会議のプログラム編成に役立て、同会議を一層充実したものにすることを目的とした。調査の結果、ホットワイアセル法においてジシランを用いることにより堆積速度28Å/sで多結晶シリコン膜が得られること、Cat-CVD法により16.5Å/Sの高速でアモルファスシリコン膜を堆積しても初期効率9.8%の太陽電池が得られること、Cat-CVD法で作製したアモルファスシリコン膜がマイクロマシンに適用可能であることなどが明らかになった。今年度得られた調査結果は、研究代表者の主催で開催したInternational Pre-Workshop on Cat-CVD(Hot-WireCVD)Processにおいて公開し、Extended Abstractを発行した。当該Workshopには国内外から110名の参加者があり、Cat-CVD法の普及ならびに育成に貢献するとともに、Workshopでの議論は平成12年11月に開催予定の国際会議のプログラム編成に役立てることができた。