触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス

采用催化化学气相沉积的硅基薄膜生长工艺

• 批准号: 11895001
• 负责人: 松村 英樹
• 金额: $ 2.11万
• 依托单位: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1999 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11895001/
• 关键词: 触媒化学気相成長; Cat-CVD; ホットワイアCVD; 薄膜; アモルファスシリコン; 微結晶シリコン; 窒化シリコン; 太陽電池

触媒化学気相成長(触媒CVD、Cat-CVD)法はホットワイアCVD法とも呼ばれ、研究代表者(松村)らによる10数年にわたる研究の結果、アモルファスシリコン膜、微(多)結晶シリコン膜、シリコン窒化膜などの形成法として有望であることが明らかになり、薄膜太陽電池、薄膜トランジスタなどの大面積デバイス用半導体膜や化合物半導体デバイス保護膜の形成手法として注目されている。このような状況下において、Cat-CVD法の研究者ならびに関連周辺分野の研究者を一同に会した国際会議を開催し、Cat-CVD法におけるシリコン系薄膜の成長機構の解明などの基礎的検討からデバイス応用にいたるまで、幅広い視点で議論するこをは極めて有益である。本研究では、国際会議開催の準備段階として、Cat-CVD法ならびに関連周辺分野の研究者で研究組織を結成し、Cat-CVD法と周辺技術の現状における問題点とその解決手段を広く調査し、平成12年度に開催予定の国際会議のプログラム編成に役立て、同会議を一層充実したものにすることを目的とした。調査の結果、ホットワイアセル法においてジシランを用いることにより堆積速度28Å/sで多結晶シリコン膜が得られること、Cat-CVD法により16.5Å/Sの高速でアモルファスシリコン膜を堆積しても初期効率9.8%の太陽電池が得られること、Cat-CVD法で作製したアモルファスシリコン膜がマイクロマシンに適用可能であることなどが明らかになった。今年度得られた調査結果は、研究代表者の主催で開催したInternational Pre-Workshop on Cat-CVD(Hot-WireCVD)Processにおいて公開し、Extended Abstractを発行した。当該Workshopには国内外から110名の参加者があり、Cat-CVD法の普及ならびに育成に貢献するとともに、Workshopでの議論は平成12年11月に開催予定の国際会議のプログラム編成に役立てることができた。

Catalytic chemistry 気 phase growth method (catalytic CVD, the Cat - CVD) は ホ ッ ト ワ イ ア CVD method と も shout ば れ representatives, research (matsumura) ら に よ る 10 years に わ た の る research results, ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン membrane, micro (more) crystallization シ リ コ ン film, シ リ コ ン smothering film な ど の forming method と し て could で あ る こ と が Ming ら か に な り, thin film solar cells, thin film ト ラ ン ジ ス タ な ど の large デ バ イ ス with semiconductor film や compound semiconductor デ バ イ ス protective film の forming technique と し て attention さ れ て い る. こ の よ う な condition に お い て, Cat - CVD method の researchers な ら び に masato 辺 eset researchers の を に together even weeks will し た international conference を open し, Cat - CVD method に お け る シ リ コ ン film の growth institutions の interpret な ど の based 検 please か ら デ バ イ ス 応 with に い た る ま で, picture hiroo い viewpoints talk で す る こ を は め extremely Youdaoplaceholder0 is beneficial to である. This study で は, international conference urged の prepare Duan Jie と し て, Cat - CVD method な ら び に masato even weeks 辺 eset の を researchers で organization form し, Cat - CVD method と weeks 辺 technology の に お け る problem point と そ の solution を hiroo く investigation し, pp.47-53 12 に rush to set の international meeting の プ ロ グ ラ ム て, with plait に service The purpose of the meeting on the を first floor is to fill in the た た にする にする にする とを. Survey の results, ホ ッ ト ワ イ ア セ ル method に お い て ジ シ ラ ン を with い る こ と に よ り stacking velocity more than 28 A/s で crystallization シ リ コ ン membrane が must ら れ る こ と, Cat - CVD method に よ り 16.5 A/s の high-speed で ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン membrane を accumulation し て も early working rate 9.8% の solar cell が must ら れ る こ と, Ca T - the CVD method で cropping し た ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン membrane が マ イ ク ロ マ シ ン に may apply で あ る こ と な ど が Ming ら か に な っ た. This year 's られた survey results, research representatives で, で, たInternational Pre-Workshop on Cat-CVD(Hot-WireCVD)Processにお, て, て, Extended Abstractを, た. At home and abroad as the Workshop に は か ら 110 の participants が あ り, Cat - CVD method の popularization な ら び に bred に contribution す る と と も に, Workshop で の comment は pp.47-53 November 12 に rush to set の international meeting の プ ロ グ ラ ム plait に servants made て る こ と が で き た.

项目成果

Chisato Niikura: "Anisotropic electrical conduction and reduction in dangling-bond density for polycrystalline Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition"Journal of Applied Physics. 86巻2号. 985-990 (1999)

Chisato Niikura：“催化化学气相沉积制备的多晶硅薄膜的各向异性导电和悬挂键密度的降低”应用物理杂志，第 86 卷，第 2 期，985-990 (1999)。

Atsushi Masuda: "Direct crystal growth of poly-Si films on glass substrates by catalytic CVD with incubation time"Digest of Technical Papers 1999 International Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays-TFT Technologies and Related Materials-. 123-

Atsushi Masuda：“通过催化 CVD 和孵育时间在玻璃基板上直接晶体生长多晶硅薄膜”技术论文摘要 1999 年有源矩阵液晶显示器国际研讨会 - TFT 技术和相关材料 -。

Toshiharu Minamikawa: "Effects of active ammonia gas cracked in catalytic-CVD on PZT ferroelectric capacitors"Materials Research Society Symposium Proceedings. 596巻(印刷中). (2000)

Toshiharu Minamikawa：“催化 CVD 中活性氨气裂解对 PZT 铁电电容器的影响”材料研究学会研讨会论文集第 596 卷（出版中）。

Atsushi Masuda: "Novel thin-film fabrication method combining pulsed laser ablation and catalytic chemical vapor deposition: Application to preparation of Er-doped hydrogenated amorphous Si films"Proceedings of the 5th International Symposium on Sputterin

Atsushi Masuda：“结合脉冲激光烧蚀和催化化学气相沉积的新型薄膜制造方法：在掺铒氢化非晶硅薄膜制备中的应用”第五届国际溅射研讨会论文集

Yoshinori Ide: "Fabrication of polycrystalline silicon thin film solar cells by hot wire cell method"Technical Digest of 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference. 775-776 (1999)

井出义德：《热线电池法制造多晶硅薄膜太阳能电池》第十一届国际光伏科学与工程大会技术文摘。