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Study on the Behavior of Defects in Dilute Nitride Semiconductors and Improvement of Device Reliability

Study on the Behavior of Defects in Dilute Nitride Semiconductors and Improvement of Device Reliability
稀氮化物半导体缺陷行为研究及器件可靠性提高
批准号：
26390057
负责人：
Ueda Osamu
金额：
$3.24万
依托单位：
Kanazawa Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26390057/
关键词：
希釈窒化物半導体欠陥光照射劣化点欠陥転位電子顕微鏡フォトルミネッセンス

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DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Kazuyuki Nakamura, Yoshito Ohya, Takanori Shiga, 中村和幸, Kazuyuki Nakamura, 三村昌泰，杉原厚吉，青木健一，中村和幸，高安秀樹，砂田利一，萩原一郎, Joe Yuichiro Wakano, 鈴木和幸，横川慎二，長塚豪己，山本渉，嶋崎真仁，河村敏彦，貝瀬徹，中村和幸，横山真弘，梅崎重雄，佐藤吉信，松岡猛，二川清，木村光宏，弓削哲史，田村信幸，早川有，土肥正，眞田克，鈴木浩一，益田昭彦，武内信雄　他]
通讯作者： 鈴木和幸，横川慎二，長塚豪己，山本渉，嶋崎真仁，河村敏彦，貝瀬徹，中村和幸，横山真弘，梅崎重雄，佐藤吉信，松岡猛，二川清，木村光宏，弓削哲史，田村信幸，早川有，土肥正，眞田克，鈴木浩一，益田昭彦，武内信雄　他
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DOI： --
发表时间： 2015
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作者： [S. Yagi, Y. Sato, N. Ueyama, T. Suzuki, K. Osada, Y. Okada, and H. Yaguchi]
通讯作者： and H. Yaguchi
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通讯作者： and H. Yaguchi
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DOI： 10.7567/jjap.55.1202bb
发表时间： 2016-12-01
期刊： JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 1.5
作者： [Kasu, Makoto, Hanada, Kenji, Ueda, Osamu]
通讯作者： Ueda, Osamu
共 17 条
    Evaluation and control of defects in LTG GaAs-related alloy semiconductors for photoconductive antenna of THz wave excited by near infra-red light
    海外基金