Evaluation and control of defects in LTG GaAs-related alloy semiconductors for photoconductive antenna of THz wave excited by near infra-red light
Evaluation and control of defects in LTG GaAs-related alloy semiconductors for photoconductive antenna of THz wave excited by near infra-red light
近红外光激发太赫兹波光电导天线LTG GaAs系合金半导体缺陷评价与控制
批准号：
17K05044
负责人：
Ueda Osamu
金额：
$3.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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低温成長GaAs1-xBixの結晶性評価
低温生长 GaAs1-xBix 的结晶度评估
低温生长 GaAs1-xBix 的结晶度评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山内 一真, 鈴木 裕史, 米谷 陸杜, 宮永 崇史, 堀田行紘，富永依里子，行宗詳規，藤原亮，石川史太郎, 高垣佑斗，堀田行紘，富永依里子，行宗詳規，藤原亮，石川史太郎]
通讯作者：
高垣佑斗，堀田行紘，富永依里子，行宗詳規，藤原亮，石川史太郎
シンクロトロンＸ線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察
同步加速器X射线形貌观察垂直布里奇曼生长β-Ga2O3单晶的缺陷
同步加速器X射线形貌观察垂直布里奇曼生长β-Ga2O3单晶的缺陷
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[桝谷 聡士, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 小林 拓実, 干川 圭吾, 上田 修, 嘉数 誠]
通讯作者：
嘉数 誠
Localized Levels of Low-Temperature-Grown InxGa1-xAs on InP Substrates
InP 衬底上低温生长 InxGa1-xAs 的局部能级
InP 衬底上低温生长 InxGa1-xAs 的局部能级
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Tsurisaki, Y. Tominaga, M. Deura, and Y. Kadoya]
通讯作者：
and Y. Kadoya
ホール効果を用いた低温成長InxGa1-xAsの局在準位の評価
使用霍尔效应评估低温生长的 InxGa1-xAs 中的局部能级
使用霍尔效应评估低温生长的 InxGa1-xAs 中的局部能级
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[釣埼竣介, 富永依里子, 出浦桃子, 角屋豊]
通讯作者：
角屋豊
金沢工業大学 高信頼理工学研究センター（上田）のホームページ
金泽工业大学高可靠性科学技术研究中心（上田）主页
金泽工业大学高可靠性科学技术研究中心（上田）主页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 52 条
Study on the Behavior of Defects in Dilute Nitride Semiconductors and Improvement of Device Reliability
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批准号：26390057
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.24万
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财政年份：2014
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负责人：Ueda Osamu
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依托单位：
海外基金