Development of deposition technology of surface nano-structure-controlled ZnO thin films using atmospheric pressure non-equilibrium plasma

常压非平衡等离子体表面纳米结构控制ZnO薄膜沉积技术研究进展

基本信息

  • 批准号：
    26420738
  • 负责人：
    Takenaka Kosuke
  • 金额：
    $ 3.24万
  • 依托单位：
    Osaka University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2014
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
プラズマ支援ミスト化学気相堆積におけるミストが製膜形状に与える影響
等离子体辅助雾气化学气相沉积中雾气对膜形的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    竹中 弘祐，内田 儀一郎;節原 裕一
  • 通讯作者：
    節原 裕一
Molecular-Structure Variation of Organic Materials Irradiated with Atmospheric Pressure Plasma
大气压等离子体辐照有机材料的分子结构变化
  • DOI：
    10.1088/1742-6596/518/1/012018
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    J. Phys. : Conf. Ser.
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Takenaka;A. Miyazaki and Y. Setsuhara
  • 通讯作者：
    A. Miyazaki and Y. Setsuhara
Plasma Interactions with Mist in Atmospheric-Pressure Plasma Irradiation
大气压等离子体辐射中等离子体与雾的相互作用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kosuke Takenaka;Giichiro Uchida;and Yuichi Setsuhara
  • 通讯作者：
    and Yuichi Setsuhara
Investigation of Plasma-Organic Materials Interaction in Aqueous Solution with Atmospheric Pressure Plasmas
大气压等离子体水溶液中等离子体-有机材料相互作用的研究
  • DOI：
    10.1088/1742-6596/518/1/012019
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    J. Phys. : Conf. Ser.
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Takenaka;A. Miyazaki and Y. Setsuhara
  • 通讯作者：
    A. Miyazaki and Y. Setsuhara
Spatio-temporal behaviors of atmospheric-pressure dielectric barrier discharge plasma jets for reactive interactions with materials
大气压介质阻挡放电等离子体射流与材料反应相互作用的时空行为
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yuichi Setsuhara;G. Uchida;A. Nakajima;K. Kawabata;K. Takenaka
  • 通讯作者：
    K. Takenaka
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Takenaka Kosuke其他文献

Plasma processing technique by combination of plasma-assisted reactive sputtering and plasma annealing for uniform electrical characteristics of InGaZnO thin film transistors formed on large-area substrates
等离子体辅助反应溅射和等离子体退火相结合的等离子体处理技术，可在大面积基板上形成均匀的 InGaZnO 薄膜晶体管的电特性
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/acbd56
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Takenaka Kosuke;Yoshitani Tomoki;Endo Masashi;Hirayama Hiroyuki;Toko Susumu;Uchida Giichiro;Ebe Akinori;Setsuhara Yuichi
  • 通讯作者：
    Setsuhara Yuichi
Low-temperature formation of high-mobility a-InGaZnOx films using plasma-enhanced reactive processes
使用等离子体增强反应工艺低温形成高迁移率 a-InGaZnOx 薄膜
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/ab219c
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Takenaka Kosuke;Endo Masashi;Hirayama Hiroyuki;Uchida Giichiro;Ebe Akinori;Setsuhara Yuichi
  • 通讯作者：
    Setsuhara Yuichi
Effect of gas flow rate and discharge volume on CO<sub>2</sub> methanation with plasma catalysis
气体流量和排放量对等离子体催化CO<sub>2</sub>甲烷化的影响
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/ac4822
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Toko Susumu;Ideguchi Masashi;Hasegawa Taiki;Okumura Takamasa;Kamataki Kunihiro;Takenaka Kosuke;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu;Setsuhara Yuichi
  • 通讯作者：
    Setsuhara Yuichi

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  • 通讯作者：
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