新規酸化物薄膜作製法・ミストCVD法の確立、及び、それによる成長膜の特性研究

新型氧化物薄膜生产方法/雾气CVD方法的建立，以及使用该方法生长的薄膜特性的研究

• 批准号: 07J08424
• 负责人: 川原村 敏幸
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07J08424/
• 关键词: 酸化亜鉛; ミストCVD法; 導電性制御; ドーピング; アクセプタ; 熱処理

本研究では、酸化亜鉛(ZnO)半導体のナノレベルでの構造制御を通じて、新しい物性を実現してデバイス応用につなげることを目的として行ったものである。ZnOはさまざまな興味ある物性を持つが、ガラス基板上の透明トランジスタへの応用が一つの重要な課題となっている。そこで本研究では、透明トランジスタの実現上不可欠なn型およびp型の伝導性制御に関して検討した。結果を以下にまとめる。1.ZnOの導電性制御にとってバックグラウンドとなる酸素空孔を抑える必要がある。この観点から成、膜時の酸素分圧が高いことを特徴とするミストCVD法を基本成膜技術として選び、深い準位からの発光が見られないZnO薄膜を得た。2.n型ドーパントとしてGaおよびA1を選びZnO、ZnMgOいずれについても低抵抗薄膜を得た。またバースタインモス効果を観測した。3.ZnOで問題になっているp型ドーピングを試みた。ドーパントにはNを用いた。熱処理に伴う電気特性の変化とSIMS測定結果とを総合して、(i)NとともにHが混入してアクセプタを不活性化している、(ii)500度前後の熱処理によってHが離脱してアクセプタが活性化しp方を示す、(iii)高温熱処理ではNが脱離して欠陥となりn型になる、という結果が得られた。p型化したことはpn接合の形成および電界効果によっても裏づけられた。

In this study, acidizing and acidizing agents (ZnO) are used to make the general system and the physical properties of the new materials. The ZnO is sensitive to the physical properties, and the transparency on the substrate is very important. In this study, it is necessary to make sure that there is no shortage of information on the control of sex. The results show that the following is not true. 1.ZnO electrical control system is necessary to reduce the concentration of acid in the air. In order to improve the quality of the film, the basic film-forming technology of the CVD method was selected, and the ZnO film was obtained by the preparation of the ZnO film. 2. N-type low-resistance thin film. Select ZnO, ZnMgO thin film, low-resistance film. I don't know. I don't know what to do. The 3.ZnO question is not available. This is the p-type test. I don't know. I don't know what to do. The results of SIMS measurement of mechanical properties and mechanical properties show that: (I) the temperature is not active, (I) the temperature is mixed with the temperature, the temperature is inactive, (ii) before and after the temperature of 500C, the temperature is reduced, the temperature is reduced, and the temperature is reduced. (iii) high temperature temperature, temperature and temperature. The pumped-type pn bonding device is used to form a high-performance electronic industry.

项目成果

An approach for singlecrystalline zinc oxide thin film with fine channel mist CVD method

细通道雾气CVD法制备单晶氧化锌薄膜的方法

• 发表时间: 2008
• 期刊: Physica Status Solidi (印刷中)
• 作者: 吉元 貴志;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura
• 通讯作者: Toshiyuki Kawaharamura

Growth of crystalline zinc oxide thin films by fine channel mist chemical vapor deposition

细通道雾化学气相沉积法生长结晶氧化锌薄膜

• 发表时间: 2008
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics (印刷中)
• 作者: 吉元 貴志;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;Toshiyuki Kawaharamura
• 通讯作者: Toshiyuki Kawaharamura

ミストCVD法の薄膜作製におけるファインチャネルおよび衝突混合の効果

微细通道和碰撞混合对雾气 CVD 薄膜制造的影响

• 发表时间: 2008
• 期刊: 材料 (印刷中)
• 作者: 吉元 貴志;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;川原村 敏幸
• 通讯作者: 川原村 敏幸

ミストCVD法によるsapphire基板上α-Ga203薄膜の成長

雾气CVD法在蓝宝石衬底上生长α-Ga2O3薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: 吉元 貴志;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;川原村 敏幸;Hiroyuki Nishinaka;篠原 大輔
• 通讯作者: 篠原 大輔

Mist-CVD growth of ZnO-based thin films and nanostructures

ZnO 基薄膜和纳米结构的雾气 CVD 生长

• 发表时间: 2008
• 期刊: Journal of Korean Physical Society (印刷中)
• 作者: 吉元 貴志;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura
• 通讯作者: Toshiyuki Kawaharamura