三次元集積回路としての多結晶シリコン薄膜の研究
三次元集積回路としての多結晶シリコン薄膜の研究
批准号:
57750248
负责人:
石田 誠
金额:
$0.42万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1982
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1982 至 --
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TMRセンサを用いた長時間脳磁図・脳波検査の計測法の開発
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批准号:24K12257
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.91万
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财政年份:2024
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负责人:石田 誠
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依托单位:
Quantitative evaluation for "invisible" brain dysfunction in patients with epilepsy using somatosensory evoked magnetic fields
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批准号:21K15674
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项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2021
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负责人:石田 誠
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依托单位:
単結晶シリコン選択成長による生体電位計測用スマート極微細多電極チップ形成の研究
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批准号:12875061
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2000
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负责人:石田 誠
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依托单位:
電子ビーム励起直接選択エピタキシャル成長による量子構造形成方法の研究
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批准号:07227212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1995
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负责人:石田 誠
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依托单位:
電子ビーム励起直接選択エピタキシャル成長による量子構造形成方法の研究
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批准号:06238214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1994
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负责人:石田 誠
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依托单位:
紫外光励起ガスソースMBE法によるエピタキシャル絶縁薄膜の超低温形成に関する研究
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批准号:04223201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1992
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负责人:石田 誠
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依托单位:
紫外光励起ガスソ-スMBE法によるエピタキシャル絶縁薄膜の超低温形成に関する研究
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批准号:03239203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1991
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负责人:石田 誠
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依托单位:
紫外光励起ガスソ-スMBE法によるエピタキシャル絶縁薄膜の起低温形成に関する研究
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批准号:02253207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1990
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负责人:石田 誠
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依托单位:
超高真空中でのエキシマレ-ザ励起AlーSi界面形成過程のXPS分析による研究
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批准号:02232217
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1989
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负责人:石田 誠
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依托单位:
超高真空中でのエキシマレ-ザ励起Al-Si界面形成過程の×PS分析による研究
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批准号:01650516
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1989
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负责人:石田 誠
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依托单位:
紫外光励起によるシリコン基板上への数原子層絶縁膜の形成過程
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批准号:62750260
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:石田 誠
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依托单位:
SOSエピタキシャル成長のための紫外光励起による基板上へのシリコン表面層の形成
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批准号:61750273
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1986
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负责人:石田 誠
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依托单位:
SOS エピタキシャル成長における結晶性改善のためのバッファ層の研究
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批准号:60750270
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1985
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负责人:石田 誠
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依托单位:
アモルファスシリコン層を用いた気相成長法による超LSI用材料 SOS膜の研究
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批准号:59750226
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1984
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负责人:石田 誠
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依托单位:
疲労の裂の発生と初期成長における実験および3次元解析的研究
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批准号:58460088
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.63万
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财政年份:1983
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负责人:石田 誠
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依托单位:
き裂を持つ有限領域の解析と構造物への応用
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批准号:X00090----055228
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1975
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负责人:石田 誠
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依托单位: