マイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折法による金属/半導体多層膜の研究

微探针俄歇电子衍射法研究金属/半导体多层薄膜

• 批准号: 02233201
• 负责人: 河野 省三
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02233201/
• 关键词: 多層膜; 半導体表面; 電子分光; オ-ジェ電子回折; Si(111)表面; In吸着

1.下地Si(111)表面の平滑性本研究では多層膜形成の下地として,Si(111)やSi(001)表面を用いるので,それら表面の平滑性を知ることが重要である。そこで,マイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折法の一応用である超高真空走査電子顕微鏡(UHVーSEM)により,下地表面のステップを直接観察する以下のような方法を考察した。(1)下地Si(111)表面の清浄化とSi(111)7×7周期のマイクロプロ-ブRHEEDによる確認。(2)下地を約250℃に保ってInを〜0.2原子層蒸着。(3)UHVーSEM観察。これにより下地Si(111)表面のステップが直接検出できることを見いだした。この方法を用いて本研究で用いたSi(111)7×7表面の平滑性を調べた結果,〜3.1A^^°のシングルステップと〜9A^^°のトリプルステップが存在し,平滑な部分の広がりは〜1μm^2程度であることが分かった。2.In/Si(111)初期界面の構造In/Siの多層膜形成の前段階として,In/Si(111)初期界面の構造をマイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折法を用いて調べた。In/Si(111)初期界面としては,√<3>×√<3>ーIn表面と4×1ーIn表面が存在するが,√<3>×√<3>ーIn表面の構造はかなり良く分かっている。一方,4×1ーIn表面の構造はほとんど分かっていない。4×1ーIn表面からのIn MNNオ-ジェ電子のマイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折パタ-ンを測定し,運動学解析を行うことによって,4×1ーIn表面上のIn原子配列についての情報を得た。

Above 1. の Si (111) surface smoothness of this study で は multilayer membrane formation の fields と し て, Si (111) を や Si (001) surface with い る の で, そ れ の ら surface smoothness を know る こ と が important で あ る. そ こ で, マ イ ク ロ プ ロ ブ · オ - ジ ェ electronic back twists の a 応 using で あ る ultra high vacuum walkthrough electronic 顕 micro mirror (UHV ー SEM) に よ り, ground surface の ス テ ッ プ を 観 examine す directly under る の よ う な method を し た. Above (1) on the Si (111) surface の qing incorporated と Si (111) 7 x7 cycle の マ イ ク ロ プ ロ - ブ RHEED に よ る confirmation. (2) Immerse In the ground at approximately を 250℃に and keep って in を ~ 0.2 atomic layer vapor. (3)UHV 観 SEM観. The surface of the underground Si(111) is ステップが ステップが and directly 検 out で る る とを とを とを see とを だ た た た. こ の way を with い て で this study use い の た Si (111) 7 x7 surface smoothness を adjustable べ た results, ~ 3.1 A ^ ^ ° の シ ン グ ル ス テ ッ プ と ~ 9 A ^ ^ ° の ト リ プ ル ス テ ッ プ し が, smooth な part の hiroo が り は ~ 1 mu m ^ 2 degree で あ る こ と が points か っ た. 2. の early In/Si (111) interface structure In/Si の multilayer membrane formation の earlier order と し て, interface の early In/Si (111) tectonic を マ イ ク ロ プ ロ ブ · オ - ジ ェ electronic back twists を with い て adjustable べ た. Early In/Si (111) interface と し て は, square root < 3 > < 3 > x) ー In surface と 4 x 1 ー exist In surface が す る が, square root < 3 > < 3 > x) ー の In surface structure は か な り good く points か っ て い る. On one side, the surface of the 4×1 ほとん In has a ほとん structure that is divided into って って な って. 4 x 1 ー In surface か ら の In MNN オ - ジ ェ electronic の マ イ ク ロ プ ロ ブ · オ - ジ ェ electronic inflexion パ タ - ン を し, kinematics analytic line を う こ と に よ っ て, 4 x 1 ー の In surface atomic arrangement In に つ い て の intelligence を た.

项目成果

K.Anno,N.Nokamura and S.Kono: "Study of Surface Electromigration in the In/Si(111) System by the Use of MicroーElectronーBeams" Surface Science.

K.Anno、N.Nokamura 和 S.Kono：“利用微电子束研究 In/Si(111) 系统中的表面电迁移”表面科学。

N.Nakamura,K.Anno and S.Kono: "Structureーanalysis of the Singleーdomain Si(111)4×1ーIn surface by μーprobe Auger electron diffraction and μーprobe reflection nigh energy electron diffraction" Surface Science.

N.Nakamura、K.Anno 和 S.Kono：“通过 μ 探针俄歇电子衍射和 μ 探针反射近能电子衍射对单域 Si(111)4×1-In 表面进行结构分析” 表面科学。