パルス電磁誘導放電によるサイレン・メタンプラズマの生成と計測法

脉冲电磁感应放电警报甲烷等离子体的产生及测量方法

• 批准号: 61550216
• 负责人: 前田 定男
• 金额: $ 0.83万
• 依托单位: Kumamoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1986 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61550216/
• 关键词: アモルファスシリコン; プラズマプロセシング; アモルファスカーボン; ダイヤモンド薄膜; パルスプラズマ; サイレン放電

パルス電磁誘導放電方式を用いて新素材と言われているアモルファスシリコンやアモルファスカーボン薄膜を析出するための、装置開発,析出放電条件,およびプラズマ特性と析出膜質との関係を解明した。1.高繰り返えし放電 新規放電容器により高繰り返えし(1分当り1放電)の放電を発生させることができたために、膜作製が以前より早くなり、また再現性良く析出できるようになった。さらに分光学的計測や電流波形計測などの信頼性も高くなった。2.アモルファス半導体の作製 サイレン気体によって析出されたアモルファスシリコン薄膜は常温ガラス基板に密着性良く析出した。しかし導電率、光学ギャップは従来の高周波法によるものと大差なかった。メタンガスによるアモルファスカーボン膜も常温基板へ付着性良く析出された。析出された膜はグラファイト構造とダイヤモンド構造の混った組成になっていることが明らかになった。放電条件を変化させた結果、堆積速度は約1nm/回であり、導電率は【10^(-6)】〜【10^(-7)】【(ohm・cm)^(-1)】,光学ギャップは1.0〜2.0eV程度であった。3.放電プラズマ特性 サイレンやメタン気体の分解によって生ずる水素の励起光Hα,Hβ,Hγのスペクトル強度を分光学的に測定して、相対強度比法により、電子温度を求めた。その結果電子温度の最高は5eVであった。4.今後の研究の展開と計画 61年度の実験設備の充実により、多くの興味ある研究成果が得られ、電気学会論文誌(5月号予定),アメリカ材料研究学会(MRS)春季会議(4月),第10回化学気相国際会議(CVD-X)(10月)に掲載決定および講演発表受理された。本方式による材料プロセシングは高周波法などにない優れた特長を有するため、特にダイヤモンド状膜の作製や多層膜の成長などを目的とした研究へ発展させて行く計画である。

パルス electromagnetic induced discharge method uses new material of と语われているアモルファスシリコンやアモルファスカーボンThe relationship between film precipitation, device start-up, precipitation discharge conditions, film characteristics, and film quality is clearly explained. 1.High discharge rate New regulation discharge capacitor high-return capacitor (1 minute equals 1 discharge) の discharge capacitor させることがでIt has good reproducibility. The measurement of the spectrometer and the measurement of the current waveform are based on the characteristics of the instrument. 2. Manufacturing of Ameras Semiconductor Separation of サイレンによってされたアモルファスシリコン film and normal temperature ガラス substrate have good adhesion and precipitation.しかし Electrical conductivity, optical ギャップは従来のHigh frequency method によるものと大 difference なかった. The メタンガスによるアモルファスカーボン film has good adhesion to the normal-temperature substrate and has good precipitation properties. Precipitated film はグラファイト structure とダイヤモンド structure のmixed った composition になっていることが明らかになった. The discharge conditions were changed accordingly, the deposition rate was about 1nm/cycle, and the conductivity was about [10^(-6)]~[10 ^(-7)】【(ohm・cm)^(-1)】, the optical level is about 1.0~2.0eV. 3.Discharge プラズマCharacteristicsサイレンやメタン気体のdegradationによって生ずる水素のstimulating light Hα,Hβ,HγのスペクトルをSpectroscopic にmeasurementして, phase intensity ratio methodにより, electron temperature をcalculationめた. The result is that the maximum electron temperature is 5eV. 4. Future research development and plans 61st year's の実験equipment のcharge実により, 多くの情丝ある Research results が得られ, Journal of Denki Society (May issue to be decided), アメリカ Materials Research The spring meeting of MRS (April) and the 10th International Conference on Chemistry-Detergen Physics (CVD-X) (October) have decided to accept the lecture list. The material of this method is the high-frequency high-frequency method. The production of ヤモンド-shaped film and the growth and development of multi-layer films are the purpose and research and development and planning of the project.