透過電顕と光学的手法によるZnS, ZnSeエピタキシアル膜と界面の格子欠陥の評価
使用透射电子显微镜和光学方法评估 ZnS、ZnSe 外延膜和界面中的晶格缺陷
基本信息
- 批准号:62604583
- 负责人:
- 金额:$ 1.28万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1987
- 资助国家:日本
- 起止时间:1987 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
(i)ZnSMOCVD膜の欠陥について減圧MOCVD膜を用いて, (100), (111), (110)GaAs基板上にZnSを成長させ, 基板を化学エッチングで完全に取り除き, 2MeVの透過型電子顕微鏡(TEM)にて成長方向に対する膜中の欠陥状態を調べた. (100)面上のエピ膜の欠陥は数〓〜100〓の〓欠陥ループからなり, 欠陥濃度は約10^<15>cm^<-3>とかなり低濃度であった. これは, 従来報告されている値と比べて約3桁少なく, 高純度結晶膜が成長しているものと考えられる. また, イオン散乱スペクトルのイオン最小収率(Xmin)も小さいことから, 高純度膜であることが確かめられた. しかし, 界面付近では, デイチャネリングが増加し, 界面には高濃度の格子不整が存在している. この膜は無添加で低濃度であるので, HIガスを用いてMOCVD成長膜にドナーIを添加した. 室温の比抵抗約2×10^<-3>Ωcm, 移動度60cm^2NS, 電子濃度10^<19>cm^<-3>と高濃度のドナーを添加することが出来た.(ii)ZnSeMOCVD膜の欠陥について(100)GaAs, Ge基板上にZnSe膜を育成し, 励起子スペクトルの差異と, その熱処理, イオン照射効果を行ない, 界面上における相互拡散と照射欠陥の回復について調らべた. その結果, 照射欠陥とドナー性不純物の相互作用が強く起因することから明らかになった. また, 化学エッチング研磨法により, ZnSe1GaAs, ZnSe1Geの深さ方向の欠陥分布の観測を2MeVTEMを用いて行なった. さらに, ホモエピタキシアルZnSeの成長を行ない, ヘテロエピ膜の欠陥との比較を行った. さらに, ZnSe単結晶基板を用いてMOCVD法により, Alを添加し, 低抵抗n型ZnSe膜(10^-Ωcm)を得た.
(I) ZnSMOCVD membranes are sensitive to the growth of MOCVD membranes, (100,111,110) the growth of ZnS on GaAs substrates, the chemical degradation of substrates, and the complete removal of 2MeV in the growth direction of TEM films. (100) the temperature of the film on the surface is less than 100 percent, and the temperature is about 10 ^ & lt;15> cm ^ & lt;-3>. In recent years, we have come to report that the temperature is lower than that of about 3 trusses, and the growth of the crystal film is very high. The minimum rate (Xmin) is small, the film is high, and the film is high. The interface is close, the interface is close, the interface is high, the grid is irregular, and there is a problem. The low temperature film is added, and the HI film is added with the MOCVD film. Room temperature specific resistance is about 2 × 10 ^ & lt;-3> Ω cm, mobility 60 cm ^ 2 NS, electric temperature 10 ^ & lt;19> cm ^ & lt;-3> (ii) the ZnSeMOCVD film is not enough to grow on the Ge substrate, the ZnSe film is grown on the ZnSe substrate, and the exciter is used to irradiate the film in the interface. The results showed that the effect of irradiation on the interaction between substances was strongly affected by the effect of radiation. Chemical, chemical, grinding, ZnSe1GaAs, ZnSe1Ge, depth direction, underdistribution, 2MeVTEM, line, etc. As a result, the growth of the ZnSe is very important, and the growth of the film is higher than that of the control. The substrate of low resistance n-type ZnSe film (10 ^-Ω cm) was obtained by MOCVD, Al and low resistance n-type ZnSe film.
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M.Sekoguchi,T.Taguchi and A.Hiraki: Jap.J.Appl.Physics,letters. (1988)
M.Sekoguchi、T.Taguchi 和 A.Hiraki:Jap.J.Appl.Physics,快报。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Sekoguchi,S.Hayamizu,T.Murase,T.Taguchi and A.Hiraki: Journal of Luminescence. (1988)
M.Sekoguchi、S.Hayamizu、T.Murase、T.Taguchi 和 A.Hiraki:发光杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
S.Hayamizu,Y.Asao,T.Taguchi and A.Hiraki: Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid state Devices and Materids. 255-258 (1988)
S.Hayamizu、Y.Asao、T.Taguchi 和 A.Hiraki:第 19 届固态器件和材料会议的扩展摘要。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Asao,S.Hayamizu,Y.Yamada,T.Tazuchi and A.Hiraki: Proc.of Material Researcl Society. (1988)
Y.Asao,S.Hayamizu,Y.Yamada,T.Tazuchi 和 A.Hiraki:材料研究会学报。
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