新しい有機Teを用いたCdTeーSnTe量子井戸超格子の作製と赤外線デバイス

利用新型有机Te和红外器件制备CdTe-SnTe量子阱超晶格

基本信息

  • 批准号:
    02805036
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    1990
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1990 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

減圧有機金属気相法(MOCVD)を用いて,(100)GaAs基板上にCdTeとSnTeを育成し,それぞれの膜の光学的性質を調らべることによってCdTe/SnTeからなる量子井戸構造に基づいた赤外線デバイスの可能性を研究した。高品質CdTeとSnTeを育成する条件を探るために,出来るだけ低温成長を行い,有機Teとして分解効率の高いジアリル(DA)Teとジメチルジ(DMD)Teを用いた。また,CdとSnの有機ガスとしてジメチル化合物を使用した。さらに,Teガスのクラッキングを行い,200℃程度の成長温度においてエピタキシアル成長を実現さした。得られたCdTe膜はDMDTeを用いた場合,1.589eVにアクセプタ-束縛励起子の発光が観測され,これまでジメチルTeから育成した膜と同一の品質を持つことがわかった。SnTeの成長も,CdTeと同一の条件で行なったが,多結晶の膜であり立方晶型は得られなかった。これは,GaAs基板との格子定数の差と結晶構造のちがいに起因していると考えられるため,数10A^^°程度の薄いSnTe膜を育成する必要がある。YAGレ-ザを用いて光伝導の測定を行った所,得られた膜の少数キャリア(電子)の寿命は数M秒であった。CdTeとSnTeから成る量子井戸構造について伝導帯の不連続値について,ひずみを考慮した理論解析を行った。SnTe量子井戸屏の厚みを数10A^^°でCdTe障壁屏を数100A^^°としたとき,タイプIの配列が予想され,電子の量子化準位はSnTe中で約200meVとなる。これは,5μm帯の赤外線の波長に対応する光学遷移を起すのに充分である。さらに,SnTe膜厚を変化さすことによって,波長領域を変化さすことも可能である。以上のことから,これまで提案されているCdTe/HgTeで問題となっているHgの不安定性の問題のない赤外線デバイスがCdTe/SnTeで実現出来る可能性があることが明らかになった。
In the application of MOCVD, CdTe and SnTe were grown on (100)GaAs substrates, and the optical properties of CdTe/SnTe films were modulated. The possibility of infrared radiation in quantum well structures was studied. High quality CdTe and SnTe growth conditions are explored, resulting in low temperature growth and high decomposition rate of organic Te and CdTe (DMD) Te The use of Cd and Sn as organic compounds. In the meantime,Te When CdTe film is used in DMDTe, the emission of CdTe film is measured at 1.589eV and the quality of CdTe film is maintained. SnTe and CdTe grow under the same conditions, and polycrystalline films grow in cubic form. This is the reason why the lattice number difference between GaAs substrates and crystalline structures is so large that it is necessary to grow thin SnTe films of about 10A^^°. YAG-1000 is used to measure the optical conductivity, and the lifetime of the film is measured in M seconds. CdTe SnTe quantum well structure is not connected to the value of the medium, the medium is considered to be theoretical analysis The thickness of the SnTe quantum well screen is about 10 A, the CdTe barrier screen is about 100 A, and the electron quantization level is about 200meV in SnTe. The wavelength of infrared light in the 5 μm band is sufficient for optical migration. The thickness of SnTe film is changed, and the wavelength domain is changed. The above proposal is based on the possibility of CdTe/HgTe instability in the infrared.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
C.Onodera and T.Taguchi: "A new 1.47 eV defectーluminescence band in MOCVDーgrown CdTe on (100) GaAs" Journal of Crystal Growth. 101. 502-506 (1990)
C. Onodera 和 T. Taguchi:“(100) GaAs 上 MOCVD 生长的 CdTe 中新的 1.47 eV 缺陷发光带”《晶体生长杂志》101. 502-506 (1990)。
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    0
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T.Taguchi and C.Onodera: "Shallow acceptor boundーexcitons in CdTe epitaxial layers on (100) GaAs" Materials science Forum. 65/66. 235-240 (1990)
T.Taguchi 和 C.Onodera:“(100) GaAs 上 CdTe 外延层中的浅受主束缚激子”材料科学论坛 65/66 (1990)。
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