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蛍光X線の図折効果を利用した新しい結晶表面構造解析法の開発

利用荧光X射线图案效应开发新的晶体表面结构分析方法

基本信息

批准号：
01580052
负责人：
高橋敏男
金额：
$ 1.86万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

今年度は、研究室に現有の高精度ディフラクトメ-タ-に取り付けられる半導体検出器回転機構を作成して測定に利用した。測定の対称としては、Si(111)面上にBrを吸着させた系を選んだ。この系は、Siの結晶面にカプトン膜を密着させてその隙間にエタノ-ルに溶かしたBrを吸い込ませることで比較的簡単に作ることができるからである。実験を行うためのX線源としては回転対陰極式のX線発生装置を用いた。Brの蛍光X線を効率よく励起するために、タ-ゲットは特性X線の波長が短いMoにした。X線の励起電圧と電流は40kV-150mAである。実験の内容は、上のようにして作った試料の表面に垂直にX線を入射させてBrの蛍光X線を励起して、その蛍光のSi基板の(111)面による回折強度の角度依存性を半導体検出器で測定する、というものである。検出器を、蛍光X線の回折が出る方向を中心に±5°程度回転させて強度変化をみたが回折の効果と思われるようなめだった変化はなかった。このような結果になった原因としては、試料の不完全性、光学系の調整不足が考えられる。現在は物質を吸着させていないGeに試料を代えて同様の測定を行っている。結晶面は(220)面で、この面によるGeの蛍光X線の回折を測定している。今後は、Si(111)面上のBrの試料の再調整を行い、より高輝度なX線源であるシンクロトロン放射を用いてデ-タを出す予定である。

This year, the existing high-precision semiconductor detector feedback mechanism in the laboratory was used for measurement. Determination of Br on Si(111) surface This is the first time that the Si crystal plane has been closely adhered to the gap. The X-ray source is used in the cathode type X-ray generator. The wavelength of Br's X-ray is shorter than that of its excitation. X-ray excitation voltage and current is 40kV-150mA. The content of the test sample is determined by the angle dependence of the bending strength of the (111) plane of the Si substrate on the vertical X-ray incident on the surface of the test sample. The intensity of the X-ray reflection is ±5°. The reason for this result is that the sample is incomplete and the optical system is not adjusted properly. Now the substance is adsorbed and the Ge sample is determined. The crystal plane is opposite to the (220) plane, and the plane is opposite to the Ge X-ray reflection. In the future, the sample of Br on Si(111) surface will be readjusted, and the emission of high brightness X-ray source will be determined.