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X線回折強度の振動測定によるエピタキシャル成長機構の研究

通过振动测量X射线衍射强度研究外延生长机制

基本信息

批准号：
03243209
负责人：
高橋敏男
金额：
$ 2.05万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03243209/
关键词：
X線回折表面構造結晶成長 Si CTR散乱

项目摘要

シンクロトロン放射を用い、Si(001)2x1構造からのCTR散乱を鏡面反射の配置で測定した。予備的な解析結果は、表面第1層には非対称ダイマ-ができており、電子回折等他の方法で得られている結果と半定量的に一致していることが分かった。さらに詳しい解析を行ないX線回析法の特徴を生かして確定的な結果を導き出すためには、測定の量、質ともに充実をはかる必要があることが分かった。現在、それを可能にするための装置開発・整備を進めている。さらに、Si及びGeを高精度に制御しながら蒸着可能な蒸着源を整備し、それらを蒸着させながらRHEED強度振動を測定し、X線回折強度の振動を測定できるよう準備を進めており、今年3月以降シンクロトロン放射を用いた実験を行う予定である。一方、Si(111)表面にSb、Ag、Auを蒸着したときにできる√<3>x√<3>構造からのCTR散乱の測定を行い、それぞれの表面構造の解析を行っている。とくに、Agの√<3>x√<3>構造の場合には、表面付近の8原子層に含まれる原子の位置および温度因子を決定することができ、長年論争の続いた構造を完全に確定できた。その解析過程で、表面のステップの効果、ラフネス、吸着原子のドメインサイズ、ドメイン間の相関など結晶成長機構の解明に関係した要因もデ-タの詳しい解析から抽出できることが分かった。また、Auの√<3>x√<3>構造の場合には、超構造からの反射以外にも、核形成に伴う反射が多くみられ、それらについて詳しい測定・解析を行えば結晶成長過程を解明できることが分かった。

The surface reflection configuration is measured by Si (001) 2x1, CTR scatter and surface reflection. Other methods, such as the analytical results of the equipment, the first part of the computer, and the electronic foldback, were used to obtain the semi-quantitative results of the consistent statistical analysis. In this paper, the results of the X-ray analysis method are used to determine the results of the X-ray analysis method. The results show that the results are accurate, the measurement is correct, and the necessary information is required. At present, it is possible to carry out the operation of the equipment and carry out the operation of the equipment for the first time. The system, Si and Ge high precision equipment system may be used to determine the RHEED strength of the equipment, the X-ray strength measurement, the X-ray strength measurement, the preparation of the system, and in March this year, the radiation equipment will be used to determine the strength of the equipment. On one side, the Sb, Ag, Au on the surface of the Si are steamed with the lt;3>x square and lt;3>x square, and the CTR scatter measurement line is made, and the analysis line is analyzed. The temperature factor determines the temperature factor, the temperature factor determines the temperature factor, the temperature factor determines the temperature factor, the temperature factor determines the temperature factor, the temperature factor determines the temperature factor, the temperature factor determines the temperature factor, the temperature factor determines the temperature factor, the temperature factor determines the temperature factor, and the temperature factor determines the temperature factor. The process of analysis, the surface analysis of the results, the absorption of atoms, the absorption of atoms, and the growth of the crystal growth mechanism show that the analysis is due to the analysis of the results. The transmission line, the Au square square & the lt;3>x square value & the lt;3> system makes the combination device, the superconductor makes the reflection wave, the nuclear formation device is accompanied by the reflection spectrum, and the electron microscope is used to determine the temperature. The results show that the structure of the device is long enough to explain the structure of the sensor.