表面X線回折法によるSi表面におけるAuの1次元鎖状構造と相転移の研究
表面X線回折法によるSi表面におけるAuの1次元鎖状構造と相転移の研究
批准号:
07F07093
负责人:
高橋 敏男
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
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英文摘要
物質中の電子を一次元的な構造に閉じ込めると一般的な三次元電子系で現れない現象が起こるため、このような一次元系はよく研究されている。シリコンの表面に金属原子を吸着させることで、一次元構造を形成させることができるので、最近、研究が盛んに行われている。本研究の目的は、Si(111)微傾斜表面上の金吸着による一次元構造の原子構造及び温度による構造変化を明らかにすることである。特にSi(553)-AuとSi(557)-Au表面に注目した。実験は表面X線回折を用いて高エネルギー加速器研究機構放射光施設(Photon Factory)とSPring-8で行った。Si(553)-Au表面の原子構造を解明するため、表面X線回折強度を測定した。解析の結果で、金原子がステップに沿って並び、ステップ付近のシリコン原子がグラファイトに類似している構造をとることがわかった。他の金による表面構造と多少似ているが、理論計算で最も安定とされている構造と異なっている。Si(557)-Au表面の構造はRobinsonらによって既にX線回折で研究されたが、電子状態の測定結果と合わない点があり、最近疑問がもたれている。そのため、この研究でSi(557)-Auの表面構造も調べたが、結果がRobinsonらの論文と一致している。これらの表面は室温で一次元金属的な電子状態を持つが、低温にすると相転移が起こり、絶縁体になる。相転移で表面構造が変わるが、低温の長周期構造の回折強度を測ることで構造変化を調べた。主に金原子とその周りのシリコン原子の位置が相転移で変る。また、構造変化は理論計算で予測されている変化と異なっている。X線回折ピークの強度と幅の温度依存性から相転移の種類とメカニズムについて情報を得られる。その測定結果は電荷密度波の成立による相転移に一致した。
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Surface X-ray diffraction study of the metal-insulator transition on the Si(553)-Au surface
Si(553)-Au表面金属-绝缘体转变的表面X射线衍射研究
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
e-J. Surf. Sci. Nanotech. 6
影响因子:
--
作者:
[W. Voegeli, et al.]
通讯作者:
et al.
Structure of the Si(553)-Au and Si(557)-Au surfaces at room temperature and low temperature
室温和低温下Si(553)-Au和Si(557)-Au表面的结构
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[W. Voegeli, et al.]
通讯作者:
et al.
Structural changes in the metal-insulator transitions on the Si(553)-Au and Si(557)-Au surfaces
Si(553)-Au 和 Si(557)-Au 表面金属-绝缘体转变的结构变化
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[W. Voegeli, et al.]
通讯作者:
et al.
Structure of the Si(553)-Au surface at room temperature and low temperature
室温和低温下Si(553)-Au表面结构
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[W. Voegeli, et al.]
通讯作者:
et al.
Structural Study of the Si(553)-Au Surface
Si(553)-Au表面的结构研究
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 7
影响因子:
--
作者:
[T. Takayama, W. Voegeli, T. Shirasawa,K. Kubo, M. Abe, and T. Takahash, 他2名]
通讯作者:
他2名
X線回折強度の振動測定によるエピタキシャル成長機構の研究
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批准号:04227210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1992
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负责人:高橋 敏男
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依托单位:
X線回折強度の振動測定によるエピタキシャル成長機構の研究
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批准号:03243209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1991
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负责人:高橋 敏男
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依托单位:
蛍光X線の図折効果を利用した新しい結晶表面構造解析法の開発
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批准号:01580052
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.86万
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财政年份:1989
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负责人:高橋 敏男
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依托单位:
垂直入射に近いX線回析法による結晶表面構造の研究
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批准号:63609506
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1988
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负责人:高橋 敏男
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依托单位:
垂直入射に近いX線回折法による結晶表面構造の研究
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批准号:62609508
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.88万
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财政年份:1987
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负责人:高橋 敏男
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依托单位:
全反射の配置におけるX線回折および2次放射を利用した結晶表面超格子の構造解析法
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批准号:60550029
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1985
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负责人:高橋 敏男
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依托单位:
多層膜軟X線分光素子の開発とその分光特性
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批准号:58550024
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1983
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负责人:高橋 敏男
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依托单位:
X線の回折過程で放射される光電子を利用した結晶表面構造解析
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批准号:X00210----575030
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.56万
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财政年份:1980
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负责人:高橋 敏男
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依托单位:
ボルマン効果を利用したX線励起光電子による結晶の評価
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批准号:X00210----275004
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.24万
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财政年份:1977
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负责人:高橋 敏男
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依托单位:
国内基金
海外基金
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稀土元素Y的选择性氧化致Mg-Zn-Y-Zr合金表面层组织演变及耐蚀性改善机制的研究
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批准号:2026JJ50467
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:吴落义
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依托单位:
基于可重构智能表面的共生无线电关键技术研究
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批准号:2026JJ50514
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:黄柯文
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依托单位:
表面集成结构富锂层状正极材料的制备及电压稳定性机理
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:肖渊
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依托单位:
调控外源性N-羟乙酰神经氨酸在细胞表面沉积的关键唾液酸转移酶筛选及其调控机制研究
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批准号:2026JJ90021
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:何恩祺
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依托单位:
高端装备核心动力构件损伤抑制与表面强化技术
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:刘思思
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依托单位:
H13表面激光熔覆原位自生TiC/高熵合金复合涂层熔池演化与界面多尺度强韧化
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批准号:JCZRLH202600416
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
药品表面缺陷视觉检测技术研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:江登表
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依托单位:
高纯精密石英制品表面痕量检测技术的研究开发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:王晓亮
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依托单位:
芯片封装体高动态反光表面三维成像和弱纹理特征匹配机制
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批准号:2026JJ80818
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:钟富强
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依托单位:
面向精密检测的二维材料-超表面异质结光电调控器件研究
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批准号:2026JJ80819
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:喻霞
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依托单位: