权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

ヘリウム準安定原子衝突による吸着分子の最外結合・反結合電子軌道占有状態の検出

通过氦亚稳原子碰撞检测吸附分子的最外层成键和反键电子轨道占据状态

基本信息

批准号：
02650012
负责人：
野口精一郎
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至 1992
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は,半導体表面上の単純分子吸着系に準安定原子脱励起分光(MDS)を適用して,吸着分子の電子軌道の立体的描像を得ることを目的にしている。本年度は,昨年からの積み残しである速度制御可能な新しいタイプの準安定原子ビ-ム源の製作と既設のMDS装置を用いた測定,の両面から研究を進めた。1.速度可変ヘリウム準安定原子源の開発:1〜2keVの一次He^+ビ-ムを約100eVまで減速してアルカリ金属原子と衝突させることにより,アルカルs準位からの電子移行でHe^*準安定原子を作る。ここで減速電圧を変化させることにより,生成He^*のエネルギ-を制御した。高効率の三重項He^*生成が期待できるHe -Na衝突系を選んだ結果,He^+→He^*変換効率が約10^<-4>でHe^*フラックス約10 ^8s_<-1>cm^<-2>を得た。これをSi(100)上のK吸着層に照射した結果,MDS-K4sピ-ク位置が熱速度He^*の場合よりも約0.5eV高エネルギ-側へシフトした。He^*-K間反発ポテンシャルの壁に当たったところでオ-ジェ脱励起が起きているものと思われる。2.Cs/Si(100)表面上の酸素吸着状態のMDSーUPS同時測定による研究:MDSにより02pピ-ク位置がUPSによるものより約-1.0eVシフトすること,両者のモニタ-領域の違いを反映したスペクトル形状などから,下地Si原子間のブリッジサイトに侵入した酸素Csと結合した酸素が共存することを見いだした。

In this study, quasi-stable atomic desorption spectroscopy (MDS) is applied to the adsorption of pure molecules on semiconductor surfaces, and three-dimensional imaging of electron orbitals of adsorbed molecules is also studied. This year, we have made progress in the study of speed control, the production of quasi-stable atomic sources, and the use of existing MDS devices. 1. Development of quasi-stable atomic source with variable velocity:1 ~ 2 keV primary He^+ v-1 ~ 100eV deceleration of electron migration from quasi-stable He^+ atom to quasi-stable He^+ atom. The deceleration voltage is changed to generate He^*. As a result, the conversion rate of He^+→He^* is about 10^, and He^<-4>* is about 10 ^s_<-1>cm<-2>. As a result of irradiation of the K adsorption layer on Si(100), MDS-K4s-position and thermal velocity are about 0.5eV. He is a member of the National Committee of the Chinese People's Political Consultative Conference. 2. Study on simultaneous determination of MDS UPS of adsorption state of Cs/Si(100) surface:MDS is about-1.0 eV in position of UPS, and the position of MDS is about-1.0 eV in position of UPS, and the position of MDS is about-1.0 eV in position of UPS.