Investigation of activation and diffusion properties of boron in polycrystalline SiGe-gate electrodes for MOS-devices

MOS 器件多晶 SiGe 栅电极中硼的活化和扩散特性研究

• 批准号: 5241982
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Heiner Ryssel
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5241982?language=en
• 关键词: Investigation; activation; diffusion; properties; boron

Die weitere Verkleinerung von MOS-Transistoren zu Kanallängen im Sub-100mm-Bereich erfordert die Entwicklung qualitativ hochwertiger Gate-Oxide mit Dicken kleiner 3mm. Diese Schichten werden bei der heutigen Prozeßführung leicht von den Dotierstoffen der Polysilizium-Elektrode durchdiffundiert. Dies führt zu Problemen bei der Reproduzierbarkeit der Transistoreigenschaften, insbesondere der Einsatzspannung und somit zu einer Verringerung der Langzeitstabilität des Bauelementes. Dieser Effekt tritt besonders stark bei Bor-dotiertem Gate auf. Im vorliegenden Projekt soll untersucht werden, ob durch die Verwendung einer polykristallinen SiGe-Gate-Elektrode eine Aktivierung der Dotierstoffe bei geringeren Temperaturen als im reinen Silizium möglich ist und damit das Diffusionsverhalten unterbunden werden kann. Dazu sollen mit Methoden der Molekularstrahlepitaxie geeignete polykristalline SiGe-Schichten auf thermischen Oxiden abgeschieden werden. Die Herstellung unterschiedlichster Dotierprofile in diesen SiGe-Schichten erfolgt dabei in-situ durch Koevaporation des Dotierstoffes während der SiGe-Ausscheidung. Das Aktivierungs- und Diffusionsverhalten bei verschiedenen Temperaturen soll vor allem für den Dotierstoff Bor untersucht werden. Parallel dazu soll untersucht werden, ob eine Übertragung der gefundenen Ergebnisse auf einen bisher üblichen Dotierprozeß, der Ionenimplantation, möglich ist.

Die weitere Verkleinerung von mos - transistor - oren zu Kanallängen im亚-100mm- berich erfordert Die Entwicklung qualityhochwertiger Gate-Oxide mitdickenkleiner 3mm。Diese Schichten werden beder heutigen proze; fhrung leicht von Dotierstoffen der Polysilizium-Elektrode durchdiffdiert。1 . die fhrt . zu Problemen der reduzierbarkeit der transistor oreigenschaften, insbesondere der Einsatzspannung, somit . zuiner Verringerung der Langzeitstabilität des Bauelementes。“迪尔效应”（dier effect）让人感到震惊，因为它是一种“双栅门”。in vorliegenden project soll untersucht werden， ob durch die Verwendung einer多晶硅栅极电极Aktivierung der Dotierstoffe geringen temperature也在reinen silium möglich和damit as Diffusionsverhalten unbunden werden kann。大族索伦：分子结构与多晶氧化反应的研究。Die Herstellung unterschiedlichster Dotierprofile in diesen sige - schicten erfolt dabei in situ durch ko蒸发des Dotierstoffes während der SiGe-Ausscheidung。动力学与扩散动力学与扩散动力学[j]； [c]; [c]; [c]；平行dazu soll untersucht werden， ob eine Übertragung der gefundenen Ergebnisse auf einen bisher <s:1> blichen Dotierprozeß， der ionen着床，möglich ist。