CVD-Prozesse mit neuartigen metallorganischen Precursoren zur Herstellung von hoch-Epsilon Gatedielektrika und metallischen Gatelektroden zukünftiger CMOS-Generation

MOCVD是一种新型的金属栅极和金属栅极，是一种新型的金属栅极。他说：“如果不是因为工业的存在，就不会有工业上的困难，也就不会有更多的语言。”在德国，Schichten liefert，de Schichten liefert，de Schichten liefert，die den Anforderungen in einfacen Bauelementen gengen，ather geeignet für Produktionsanlgen in der Silicium Technologie oder DEM einatz in Dm kompliziertem Schichtsystem einer-Schaltung。这是一种新的金属门和金属门的组合。在我们的项目中，我们得到了新材料和新材料的支持，这些新材料包括：Six和HfSixOy以及HfSixOy和HfSixOy以及金属门，以及氮化物和钛、Ta和Mo等金属材料，它们都受到了人们的尊敬和欢迎。我的工作是让所有的人都能得到他们的帮助，因为他们的工作是先化疗和再化疗。

MOCVD ist der vielversprechendste Weg zur Herstellung von hoch-e Gatedielektrika und metallischen Gateelektroden zukünftiger CMOS-Generationen. Für die Abscheidung von hoch-e Gatedielektrika und metallischen Gateelektroden existieren noch keine industrietauglichen Prozesse, dabei kommt der Entwicklung neuartiger und verbesserter Precursoren eine Schlüsselrolle zu. Darüber hinaus ist nicht jeder Precursor, der Schichten liefert, die den Anforderungen in einfachen Bauelementen genügen, auch geeignet für Produktionsanlagen in der Siliciumtechnologie oder dem Einsatz in dem kompliziertem Schichtsystem einer CMOS-Schaltung. Erst die Kombination von hoch-e Gatedielektrika und metallischen Gateelektroden erfüllt die Herausforderungen zukünftiger CMOS-Generationen. In diesem Projekt werden neuartige Precursormaterialien zur Abscheidung von hoch-e Gatedielektrika, wie ZrSixOy und HfSixOy, und metallischen Gateelektroden, wie die Nitride von Ti, Ta und Mo entwickelt, auf ihre Grundeigenschaften und Verwendbarkeit bei der Herstellung von Siliciumhalbleiterbauelementen getestet und verfahrenstechnisch optimiert. Dabei wird das Zusammenspiel von neuartiger Precursorenchemie und Gasphasenchemie auf Siliciumoberflächen erforscht und die gewonnenen Schichtsysteme anhand von MOS-Baulementen charakterisiert.