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CVD-Prozesse mit neuartigen metallorganischen Precursoren zur Herstellung von hoch-Epsilon Gatedielektrika und metallischen Gatelektroden zukünftiger CMOS-Generation

采用新型有机金属前体的 CVD 工艺，用于生产未来 CMOS 一代的高 epsilon 栅极电介质和金属栅极电极

基本信息

批准号：
5313518
负责人：
Professor Dr.-Ing. Heiner Ryssel
金额：
--
依托单位：
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
2001
资助国家：
德国
起止时间：
2000-12-31 至 2007-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5313518?language=en
关键词：
CVD Prozesse mit neuartigen metallorganischen

项目摘要

MOCVD ist der vielversprechendste Weg zur Herstellung von hoch-e Gatedielektrika und metallischen Gateelektroden zukünftiger CMOS-Generationen. Für die Abscheidung von hoch-e Gatedielektrika und metallischen Gateelektroden existieren noch keine industrietauglichen Prozesse, dabei kommt der Entwicklung neuartiger und verbesserter Precursoren eine Schlüsselrolle zu. Darüber hinaus ist nicht jeder Precursor, der Schichten liefert, die den Anforderungen in einfachen Bauelementen genügen, auch geeignet für Produktionsanlagen in der Siliciumtechnologie oder dem Einsatz in dem kompliziertem Schichtsystem einer CMOS-Schaltung. Erst die Kombination von hoch-e Gatedielektrika und metallischen Gateelektroden erfüllt die Herausforderungen zukünftiger CMOS-Generationen. In diesem Projekt werden neuartige Precursormaterialien zur Abscheidung von hoch-e Gatedielektrika, wie ZrSixOy und HfSixOy, und metallischen Gateelektroden, wie die Nitride von Ti, Ta und Mo entwickelt, auf ihre Grundeigenschaften und Verwendbarkeit bei der Herstellung von Siliciumhalbleiterbauelementen getestet und verfahrenstechnisch optimiert. Dabei wird das Zusammenspiel von neuartiger Precursorenchemie und Gasphasenchemie auf Siliciumoberflächen erforscht und die gewonnenen Schichtsysteme anhand von MOS-Baulementen charakterisiert.

MOCVD是一种新型的集成电路器件，它是一种新型的集成电路器件。[footnoter.com] [footnoter.com] [footnoter.com] [footnoter.com] [footnoter.com] [footnoter.com] [footnoter.com] [footnoter.com]中国科学院院士，德国科学院院士，德国科学院院士，德国科学院院士，德国科学院院士，德国科学院院士，德国科学院院士，德国科学院院士，德国科学院院士，德国科学院院士，德国科学院院士，德国科学院院士。Erst die combination von hoch-e Gatedielektrika and metallischen Gateelektroden erf<s:1> 1 / 4 die Herausforderungen zuk<e:1> nftiger CMOS-Generationen。在diesem项目中，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料，我们研究了新型前驱体材料。大北，王志刚，等。前驱物化学与气相化学研究进展[j]， [j]。